初论压敏电阻器的V~I特性.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会第十四届电压敏学术年会论文专刊 初论压敏电阻器的V～l特性 张梅张南法 常州市创捷防雷电子有限公司江苏省常州市213016 接耍： 本文讨论了压敏电阻器(MOV)电流～电压特性(V～l特性)的形式和测量方法。并依据这些特性对低非线性MoV进行 了分析。 关■词： 压敏电阻器，伏安特性 A DiScussiononV—ICha髓IcteristicsofMoVs PI℃Hminary Mei Nanfa ZhangZhang Pmtection Ch锄gz}louChu酬ie“曲mingCo．，Ⅲ，Chan孥hou，Ji锄铲Ll，(213016)，Chla Abnrans：The ofV～Icharacterist．csofMoVandthe订testmethodswere meansofwhicha types discussed，by o”heMoV Iow wasmade． pre¨minaryanqIysis haVingnon—I．near计y characteristics Keywords：Varistor，VoIt．Ampere 电压～电流特性(V。I特性)是压敏电阻器(M0v)电流区”， “中电场的高非线性区”和“高电场的上升 的基本特性，MOv的v．I特性如何与不同的应用目的相配区”三个特征区，从工作机理的角度来看，它们分别对应 合，制造企业如何生产出不同v～I特性的MOV来，是个于电子热激发机理，隧道电流机理，和场发射和晶粒电阻 有待深入研究和解决的课题。业界对于近来市场上出现的 制约机理。区段之间并没有明确的分界点，而有一个不大 “低口．”MOV的认识分歧，也说明了讨论这一课题的必的过渡区。 要性。本文针对低压配电系统用MOV的应用特点，提出了 在生产企业提供的应用技术资料中，通常给出“最大 漏电流曲线”和“最高限制电压曲线”，前者表示的是压 三种V—I特性及其测试方法，并据此并对低口。MOV作了 初步分析。 敏电压为公差下限的MOV，在小于压敏电压区段的V～I关 系，它是用直流测得的；后者表示的是压敏电压为公差上 1MOV V—I特性的形式 限的MOV，在大于压敏电压区段的8／20电流峰值与限制电 V～I特性表示了一种元器件的电压一电流之间的关 压峰值之间的关系。 系。V～I特性曲线中的座标，可以用电压值(伏特数) 低压配电系统用MOV在其使用寿命中所承受的工作应 一电流值(安培数)来表示，也可以用电压，电流的相 力，主要有三种情况：等待状态的系统电压应力，浪涌电 压侵入时的冲击电流应力，和暂时过电压(TOV)下的工 对值来表示，例如MOV的v～I特性，电压座标可以是加 压比(所加电压对压敏电压之比)，电流座标可以是电 频电流应力，针对这三种工作应力，有必要测试和分析以 流密度。 下三种v。I特性： 众所周知，M0v的v～I特性可能覆盖从微安到数 1)低电场区段的直流V～I特性 十千安的极宽的电流范围，通常将它区分为“低电场的漏 它是用直流信号测量的电压一电流稳态值之间的对应 一忙州一一浑黼团 籀删嘲-