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6)为防lr热水清洗时再次生成si02，可以_蚪j冷水冲洗数次即可进行硅片甩干待用。
由于采用了两攻HF漂洗，除氧效果比较明显．碳含量也随2降低。在此应该注意的是在清洗过
程中HF浓度不宜过高，漂洗时间不宜过长，否则易对sj产生不必耍的腐蚀。
2．3 y-M：0，／Si外延生长前预处理
任何外延生长都要求衬底氧碳含量要低，降低碳氧含黉是第一步。尽管通过RCA清洗衬底．在
反应系统中TMA是还原荆物质而N20是氧化剂物质，在si衬底表面处理上不能采剧常规的方法，
如通过气相抛光(廊蚀)以士除衬底表面1—2u
为三甲基有机化台物，在化学性质上具有还原剂性质，我们可以采用TMA对Si衬底进行还原处理。
系统就可以达到清洁村底的目的。
2．4 Y_^l，0，Isl薄膜性质和栽歇分析蛄果
对所生长的T—AIz0、／S1薄膜进行宏观观察，薄膜表面平整、光亮，没有麻坑和云雾产生，表征其
’ 薄膜}～部晶体完糕性可能较好。通过RHEED、X射线取晶衍射、俄歇分析等方法验证，所生长的薄膜
为rAL0。单晶，且晶体完转性较好。
3讨论
一。
霉篷一二兰 备一
a)1．艺改进前 b)[艺改进后
一／义一
图lT—Alz吼／si俄歇深度谱
为了验证外圭匝生长的v—A120s薄膜界面情况，我们进一步测定了外延膜的俄歇能普。蒯1为
-309．
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