精密控温技术用于基础物化实验.pdfVIP

广西师范大学学报(自然科学版) OFGUANGXINORMAL JOURNAL UNIVERSITY2003年 精密控温技术用于基础物化实验 夏春兰，吴玲，胡超珍，张衡，刘欲文，王聪玲 (武汉大学化学与分子科学学院实验中心，湖北武汉430072) 摘要：自行制作的可控硅精密控温装置，采用PID控温技术，其控温精度可达10-3甚至10_4℃，远远 大于继电器控温装置的控温精度(一般为lO_2。c)。将该精密控温装置用于基础物化实验，可大大提高实 验精度。 关键词：温度控制；可控硅；物化实验 物质的物理性质和化学性质大多受温度的影响，如电导率、折光率、表面张力、粘度等都与温度有 关，许多物化实验需要在恒温条件下进行，如“电离平衡常数的测定”、“反应速率常数的测定”、“溶液表 面吸附的测定”等等，因此控温技术的好坏是影响物化实验结果的重要因素。在大学基础物化实验中，一 般采用晶体管继电器及接触温度计作为调节和控制温度的装置，这种控温装置的控温精度一般为 了解这种精密控温装置及控温原理，我们设计了该项实验。该实验中测温电桥和可控硅执行器根据我院 老师的科研成果自行制作。 1 精密控温装置的组成、电路设计及控温原理 该项实验精密控温装置由DWT一702精密温度自动控制仪、可控硅执行器、测温电桥、热敏电阻组 度，热敏电阻为温度传感器。精密控温装置中测温电桥和可控硅执行器电路设计见图1。 力Ⅱ 热 线 圈 2MQ I F 测温电桥 可控硅执行器 图1测温电桥和司控硅执行器电路设计图 极和负极分别接DWT一702精密温度自动控制仪两组输出电压的正负极，注意控制极接输出电压的正 极，负极接输出电压的负极。加热线圈的两极接DWT一702精密温度自动控制仪的反馈端子，不分正负。 其中测温电桥中可调电位器RE为22KQ，热敏电阻为10KQ，温度系数为一0．37Ka／℃。可控硅耐压 大于300V，耐电流10 A，为单向可控硅。DWT一702精密温度自动控制仪由毫伏定值器、微伏放大器、 PID调节器、可控硅触发器组成，其温度调节系统原理框图见图2。 DWT一702温度调节系统基本原理为：由热敏电阻检测到的温度——毫伏信号与毫伏定值器进行比 】20 图2 DWT一702温度调节系统原理框图 h，能比较精确地给出直流 较。毫伏定值器是一个工作稳定的直流信号源，长时间漂移不大于4弘v／24 毫伏信号。毫伏定值器由直流稳压源、数模转换的拨盘开关、电阻网络及冷端补偿器组成。 由于比较后得到的偏差信号很弱，为达到所需的调节精度，须对偏差信号进行放大。放大器部分采 用隔离型调节式直流放大器，具有较强的抗串模、共模干扰能力，工作稳定，长时间漂移小，灵敏度高等 o～10 mA信号给可控硅触发器，PID参数连续可调，视不同对象调整，以达到最佳的控温效果。为改善 控温稳定性，引入炉丝电压反馈，克服电网电压波动对加热功率的影响。 PID控制即比例、积分和微分控制，是指在过渡时间(即被控体系受到扰动后恢复到设定值所需时 间)内，能按偏差信号的变化规律，自动地调节通过加热器的电流。开始偏差