SM新结构的制备及其性能的研究OI.pdfVIP

第 52卷 第 1期 2003年 1月 物 理 学 报 Vo1．52，No．1，January，2003 1000—3290，2003，52(01)／0207．04 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2003Chin．Phys．Soc． SOIM 新结构的制备及其性能的研 究 谢欣云 林 青 门传玲 刘卫丽 徐安怀 林成鲁 (中国科学院上海微系统与信 息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 ，上海 200050) (2002年4月 19日收到 ；2002年6月2日收到修改稿) 制备在 以SiO 为绝缘埋层 的SOI材料上 的电子器件存在着 自加热问题 ．为减少 自加热效应和满足一些特殊器 件，电路 的要求 ，利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层 的SOI新结构 ．高分辨率透射 电镜和扩展 电阻测试结果表 明得到的 SOIM新结构具有很好的结构和 电学性能 ，退火后 的氮化硅埋层为非 晶结构 ． 关键词 ：氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜 ，SOIM新结构，多孔硅外延转移 PACC：6855，7340T 1．引 言 2．实 验 为使器件之间具有很好的电绝缘隔离性能和有 本实验采用 P型 声3”(100)、电阻率为 0．003— 效的降低寄生电容 ，氧化物埋层 已被广泛 的应用在 0．007Q·cm的重掺杂硅片 ．其 中一片用低压化学气 SO1(silicon．on．insulator)技术 中．然而 ，由于 SiO 导热 相沉积法在800oC条件下生长一层 SiN 薄膜 ，薄膜 性能差 ，在很大程度上 限制 了 SOI材料在高温与大 厚度为 70nm．另一片利用阳级氧化 的方法在其表面 功耗电路 中的应用…．sN 薄膜具有较高热导率 形成多孔硅 ．实验条件为 ：电介质采用 HF／CHOH， (与 SiO，薄膜热导率之比为 30WmI1K 比 1．4wm 溶液 的浓度 比为 HF：C，HOH：1：1，电流密度为 KI1)，并且具有在氢氟酸溶液 中低 的腐蚀速率 以及 4mA／cm2， 时间为 5min，制备时均无光照 ．为 了保证 良好的结构性能 ，是一种很好 的绝缘材料 ．同厚度的 多孔硅结构的稳定性 ，在外延前将 多孔硅在 400℃ 以Si，N 和 SiO 为多绝缘埋层 的 SOI新结构展示 了 的氧气氛下预氧化 1h，将表面 的氧化层去除后在超 比普通 SOI结构更好 的热性能 ．因此，引入 SiN 高真空电子束蒸发室中外延硅 ，衬底温度为 800℃． 层到 SOI结构 中形成 SOIM(silicon．on．insulator-multi． 在外延生长了单晶硅 的衬底片上继续用电子束蒸发 1ayer)新结构 ，从而降低 SiO，层的厚度 ，是一种减少 沉积一层 120nm厚的二氧化硅层 ，衬底温度保持为 自加热效应的有效方法 ． 200℃．将外延长与长有 SN 的硅片在室温下键合 ， 采用氮氧离子共注入方法 ，由于氮在硅中扩散 为了增强键合界面 的强度 ，将键合片在 1100℃下退 率很低 ，以及退火后氮化硅埋层会重结 晶，很难得到 火 1h．将刀片插入硅 片和氮化硅 片的间隙后 ，键合 质量好 的以氮化硅和氧化硅为埋层 的 SOIM新 结 片在多孔硅处分离 ，这样外延单晶硅层和氧化硅层 构b ，并且在注氮过程中注入的氮离子会对顶层硅 就转移到氮化硅片上 了．为 了将外延层上 的残余多 造成很大损伤 ，引入缺陷 ．本文采用多孔硅外延转 孔硅 去除 ，将试样放人一定浓度 HF／H0 溶液，加 移的方法 成功的制备出以SiO 和 si，N4为双绝缘 上超声波振荡 ，多孔硅很快溶解 ． 埋层 的 SOIM 新结 构 ．利用 高分 辨