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Sol-gelsynthesisofY2O3-dopedZnOthinfilmsvaristorsand
theirelectricalproperties
XUDong1,2,3,4,5JIANGBin1JIAOLei1CUIFeng-dan1XUHong-xing1
YANGYong-tao1,6YURen-hong1,6,CHENGXiao-nong1
1.SchoolofMaterialScienceandEngineering,JiangsuUniversity,Zhenjiang212013,China;
2.KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScience,InstituteofSemiconductors,
ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China;
3.StateKeyLaboratoryofElectricalInsulationandPowerEquipment,
XianJiaotongUniversity,Xian710049,China;
4.StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,
UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China;
5.ChangzhouEngineeringResearchInstituteofJiangsuUniversity,Changzhou213000,China;
6.ChangzhouMingErruiCeramicsCo.,Ltd.,Changzhou213102,China
Y2O3-dopedZnO-Bi2O3thinfilmswerefabricatedonsiliconsubstratesbysol-gelprocessandannealedinairat750 ℃
for1h.MicrostructureandelectricalpropertiesofZnOthinfilmswereinvestigated.XRDanalysisshowsthatallpeaksofZnOthin
filmsarewellmatchedwithhexagonalwurzitestructureofZnO.SEMresultspresentthattheZnOgrainsizedecreaseswiththe
increaseofdopantconcentration,whichmeansthatrareearthdopedcanrefinethegrainsize.Thethicknessofeachlayerisuniform
andthevalueofthicknessisabout80nm.ThenonlinearⅤ-Ⅰcharacteristicswiththeleakagecurrentof0.46μA,thethresholdfield
of110V/mmandthenonlinearcoefficientof3.1couldbeachievedwhenthefilmscontain0.2％ (molefraction)yttriumion.
zincoxide;Y2O3varistor;film;sol-gelprocess;electricalproperties;microstructure
xU al／Trans．NonferrousMet．Soc．China s111
Dong．et 22(2012)s110一s114
the
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