CdSe超薄层的光致发光特性的研究.pdfVIP

20(10年10月·广西·北海 第七届全国同体薄膜学术会议 CdSe超薄层的光致发光特性研究 羊亿申德振张吉英范希武李炳生 (中国科学院激发态物理开放实验室，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所．延安 大路1号，长春，130021) 摘要 本文研究了在ZaSc基质中cdse超薄层的光致发光(PL)特性．通过比较不同生长周 期及强度的超薄层的PL认为发光蜂的半高全宽值(FWHM)是由界面扩散与界面粗糙度 及阱宽涨落共同决定的，而且界面扩散不利于外延层通过释放应力形成自组装量子点的形 式来降低体系界面应力能。 1．引言 在晶格常数相差比较大的材料系统中，如CdSc／ZnSc，晶格失配度高达7．5％，在外延 生长过程中，若外延层达到其临界厚度时，会以释放应力形成自组装量子点的形式来降低 体系界面应力能。若外延层厚度未达到其临界厚度，或是在其释放应力之前生长一层覆盖 层，即可得到处于高应力状态下的超薄层。近年来，在Ⅲ一V族与Ⅱ一VI族半导体化合物 中已发现了这种超薄层许多有趣的现象【1-”】。然而由于难以精确控制外延生长的界面及层 厚，因此在研究超薄层的特性时存在有一些不同的说法。如对于超薄层的发光线宽，T．Yaot4l 等人观测到超薄层的厚度降低时线宽增大并认为是由于界面粗糙度的影响，而D．EWelcht5】 等人观测到线宽的减小并认为在CdSe／ZaSe界面存在有由界面扩散引起的ZnCdSc合金层。 本文通过比较不同生长周期及温度的超薄层的光致发光(PL)特性认为发光峰的半高全宽 值(FWHM)是由界面扩散与粗糙度共同决定的。而且界面扩散不利于外延层通过释放应 力形成自组装量子点的形式来降低体系界面应力能。 2．实验 样品由低压金属有机化学汽相淀积法(12一MOCVD)制备。有机源为二甲基镉 其中n为生长周期，样品A、B与C的生长周期分别为20、12与6。样品D的生长温度为 A．生长周期为10。 5200(2，其结构与其它样品相似．只是CdSe阱层厚度为ll X射线衍射与PL光谱分别用来表征样品的晶体结构与发光特性。X射线使用cu靶的 Ka 1和Ka2。光致发光使用He-Cd激光器的325nm线。 3．结果与讨论 图1所示样品A的X射线衍射图。其中4个衍射峰P，、P2、P3与P4的峰值分别为66．311， 66．127．65．944和65．702。 图2所示为样品A、B与C在7／K下的PL光谱。样品A、B与C的发光光谱都可以 分成符合高斯分布的两个峰P。和P2。P，和P2的峰值及FWHM值与样品的生长周期的对应 A，所不同的只是生长周期由20 关系列于表1。样品A、B和C的CdSc阱层厚度均为16 2000年10月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 到12到6。但从表l中可看出，随着生长周期的降低．P，和P2的峰值均发生红移，而且其 n~，I】M值也逐渐变小，除了样品C的P：。 100k 80k 60k 40k 20k 0 纛 图1．样品A的X射线衍射图 图2．样品A、B和C的PL光谱(77K) 氧一 ∥一 生长 P1 P2 周期 峰值(珈m) 峰值(m) FWHM(nm) FWHM(nm) 样品A 20 609 86．6 520．1 60．4 样品B 12 614 59．6 531．1 39．1 样品c 6