利用NanoScribe制作三维微结构材料及其相关物理性质的模拟.pdfVIP

第31卷 第3期(上) 赤峰 学 院 学 报 (自然科 学版 ) V01．31No．3 2015年 3月 JournalofChifengUniversity(NaturalScienceEdition) Mar．2015 利用NanoScribe制作三维微结构 材料及其相关物理性质的模拟 徐振洋 (南京大学，江苏 南京 210093) 摘 要 ：本文介绍了一种利用材料双光子吸收效应进行三维微结构加工的新型三维微结构加工技术，并对其原理进行 了 阐释．并在总结实验经验的基础上 ，对于一个简单的FFT模型(Four-FootTab1eMode1)~ 了双光子三维微结构材料的光刻 韵】作 。并用三维电磁场仿真软件 CST对结果进行 了模拟． 关键词：双光子吸收，三维微结构加工，快速加工，制备技术 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A 文章编号：l673260x(2Ol5)03—0134—03 1 三维微结构加工技术概述 于接收计算机事先编好的结构信息，使激光焦点按照预先 ^耐●-融■v誓■¨—■ 三维微加工技术在现代大规模集成电路．微机电系统． 的轨迹进行光刻书写，实现在树脂材料中的三维结构制作． 微光机电系统．微流体技术．生物芯片科技．高灵敏度传感器 4 光刻胶 制作工艺．光子晶体 ，【制 作等众多领域有着广泛地应用． 光刻胶(Ph0t0resist)是指一大类具有光敏化学作用的高 对于微加工技术，根据不同的标准有以下分类：光学曝 分子聚合物材料．光刻胶一般分为正型胶与负型胶．正型胶 光技术，电子束曝光技术，聚焦粒子束加工技术，扫描探针 在光照下聚合物的长链分子截断成短链分子，它可以在显 加工技术等等． 影溶液中被洗掉而溶解，只余下长链分子及未曝光部分；负 2 光学曝光技 术 型胶则正好相反，它在光照下聚合物的长链分子得以保留， 光学曝光技术是最早应用于集成电路生产加工领域的 未被光照的部分发生断链反应，截断为短链分子，其被洗掉 微加工技术．现在 ，大规模集成电路的制作主要方法仍是光 ^搿●饷正■v■■¨啊崔 而溶解 ，仅余下长链分子及曝光部分．正型胶与负型胶在光 学曝光技术．光学曝光技术的原理和相机的光学成像技术相 照后的残留部分如图1所示： 类似：某些特殊的光敏材料(如光刻胶)在电磁辐射下 (强激 光)，分子结构发生了变化 ，导致溶质的溶解性质发生变化 ， 再经过显影，形成微纳米结构．传统的二维光学曝光技术需 要用到掩膜技术，光学曝光的目的是在光刻胶上再现掩膜版 上事先绘制好的图形． 3 双光子三维微结构快速制备技术 1 本文所介绍的双光子三维微结构快速制备技术是利用 5 光刻胶的性能指标 超短脉冲激光诱导光刻胶发生双光子聚合反应，在三维结 光刻胶的好坏是由灵敏度，对比度，抗刻蚀比，分辨率等 构上实现制造亚微米精度三维微结构的技术．双光子三维微 特性指标加以衡量的． 结构快速制备技术最早可追述到2001年 ，日本科学家 图 1．1：正型胶的显影曲线 纵轴代表正型胶的胶层厚 Kaw~a利用780nm的近红外飞秒脉冲激光雕刻出了一个长 度 ，这里已经使用了相对厚度单位 ，横坐标代表曝光剂量 ， l0微米，高7微米的仅有血细胞大小的公牛图像 ，随后 ，微 随着曝光剂量的增加，正型胶