三维多芯片组件技术.pdfVIP

2o00年中国电子学会第十一届电子元件学术年台论文集 三维多芯片组件技术 张经国1杨邦朝2陈庆2 30031) (1信息产业部电子43所安徽合肥2 0054) (2电子科技大学四”成都61 摘要三维多芯片组件是在二维多芯片如件技戒基础上发展起来的一种高级多芯片组件技 术．本文分析7推动3D-MCM发展的主要田素．3D—MCM所具有的主要优点，论进了3D-MCM 的基奉结构粪型．垂直互连技术及主要应用室倒． 关键词三维多芯片组件，组装密度，垂直互连 1前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D．MCM)技术基础上发 展起来的～种高级多芯片组件技术。二者的区别在于：3D-MCM是通过采用二维(x，y，z方 向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术，而2D．MCM则是在二维方向对Ic 芯片集成。即栗刚二维结构形式对Ic芯片进行高密度组装，是Jc芯片的二维集成技术。二 维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向，是微电子技术领域的一项跨世纪关键 技术。由于3D．MCM在满足宇航、甲星、计算机及通信等军事和民}=}j领域对提高组装密度、 减轻重量、减小体积、高性能和高可靠性等的迫切需求方面具有许多独特优点，冈此该项新 技术近年来在国外得到迅速发展，并引起国内同行的高度重视。 本文对该技术得以迅速发展的主要因素，3D．MCM的主要优点和基本鲒构类掣、乖直 互连技术以及主要应用实侧加以舟绍。 2推动3D-MCM技术迅速发展的主要因素 2 1电子系统(整机)对实现系统曩成的迫切需求 电子系统(整机)向小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本发鼹已成为H前的 主要趋势，从而对系统集成的要求也越来越迫切。实现系统集成的技术途径士要有两个?一 J)，：皿 是半导体单片集成技术，二是采用McM技术。前者是通过晶片规模的集成技沭(ws 高性能数字集成电路(台存储器、微处理器、出象和信号处理器等)和模拟集成电路(含符 种放大器、变换器等)集成为单片集成系统。后者是通过二维多芯片缉件(3D～McM旦苴Ⅵc”Vj 技术实现WS【的功能。 实现单片系统集成的关键在于细线和大晶片』：艺技术、单片系统集成的设计和多层伟 25～0 线、微机械加工以及备种r艺的兼容技术。0 3Hm的大晶片【c生产线于1998年在 s州su、G、NEC、[BM三家公司首先诞生，这标忠着单片系统集成时代的来临。美国Bell盛 验室利}H电子柬加【：技术使Ic线宽降至0．u8¨m。台湾也成功地开发出0．25邺技术，可使 l艺难度及成 随机存储器的容量提高到256M。单片系统集成技术已有较大进展，但是由r 本价格等原因，该技术一亩未在产鼎生产中得以r泛市崩。据分析．·，f能在相、与一段时间内， 实现系统集成的士要技术途径仍将是3DMcM技术。这对}。r导体集成电路l业还小甚发逃 的我国尤其如此。 2220-MCM在组装密度(组装效率1上的限制 ·221· 现代微组装技术的发展已到了接近i维组装所能达剑的理论上最人的绢装密上奠，L|前 2DⅥcM的绀装效率最高达85％，而采用3D一ⅥcM-w／-实现更高的组装密度(组装效率)。 3DMcⅥ构组装效率则已可达200％以上。因此，为了进一步提高组装密度，实现更小的 体积和更多的功能．也必颁从_二维微组装向三维微组装发展。 3 3D—lllCM的主要优点 3DMⅥ的优点可门纳为“五个减小”、”“个增人”，即： 3 1 进一步减小了体积，减轻了重量。313一ⅥcM相9}]J 2D一