DM91个人剂量仪半导体探测器性能研究.pdfVIP

第10届全国校电子学与棱撵舅技术学术年会论文集 Nallmsl of蛔1帅l [Woceed岫s DM91个人剂量仪半导体探测器性能研究 罗平安，刘启礼，汪如桂，周春芝 (防化研究院．北京1041信箱200号．北京102205) ■一·以13lM91十人荆量仅为对蠢．研究了其丰导体探■暑的T疆射夏t蛊。其墟性蓖奠为O～150R／h． 置过并究I]M91量看}特性。为设计采用半导体撵一器的小型电子十人剂量仅挺供了实t嵌据． 关蚋·十人荆量仪·半导体探嗣嚣I夏t庄捆墁 ／ O引言 半导体棱辐射操舅嚣在麓辐射舅量囊麓巳取得令人■耳成就，尤其在能谱分辨，位置和时 间分辨、粒子鉴捌辱方面具有很好的性能．在剂量测量方面的应用一直是人们非常感兴趣的顸 域．许多科技工作者作了大量艰苦的工作叶目．80年代l}l前，由于技术条件的限瓴。在便携式 剂量仅嚣中．太多采用GM计数蕾作探奠嚣‰日．自90年代以来．随着半导体截电子技木的进 步。以法国、蕾罾、日奉为主要代表，设计生产了多种型号的用半导体作操嬲器的剁I式剂量仪 熏珂． 奉文主要以法■DMgl十人剂量仪为对象，主要研究其半导体探溯器的有关性能盈仪器 的某些显示特性．为棱搽强纛电子技术研究提供参考． 1实验方法 由于谈仪嚣是簟电子化探测器和前靖电子学电路封在一起，因此，必须综合分析、探索．找 出相关设计和办法．这里只报告结果． ． * 擅●搏 L…一!矍………j 臣1 DMgl的原理方柱田 田0鲁舯性船实it方榧圉 根据厂索责辩DM91的原理方 框图如图l所示．由于t电子化剂量 仅电子学突出特点是探测器电路直 接受cIU的控制．单越对探嚣器测 试困难较大．能采用整机工作方式对 半导体探■嚣进行测试．为研究放射 性强度与搽渊嚣电珞糟出脉冲信号 之目的美景．从探翼嚣电路的信号输 出奠(第9一)。并联一秉信号线。同 时从第5一§I出一条地线．作为我们 宴硷中的输入傅号线．选样—来．可 以把原仅嚣的a，U处理功能和显示 田3量示性■实奠方程圈 单元的髟响去捧．只研究其探测器单 元的性能．其辐射性能实验方框图如图2 所示． 为了研究DM91个人科量仪显示值与 撵测嚣输出脉冲之伺的关幕。特设计显示 性囊实t(方法与上面类似)．这样一来，可 把原DM91投曩翡撵测器单元的影响去 掉，只研究箕CPU内部的处理功能．方框 图见田3所示． 2实验蠢据及处理 圈lDM91半导体摄■■置t虞曲奠 撮据疆射性能实验，测得的DM91个 人荆量仪攘测嚣电蓐对”co7射线的夏t度 曲缎如圈l所示· 根据量示性蠢宴脸原理．DM91个人剂量 仅量示性能蠡鼓如圈5所示． 3结论 、 1)由墨l可知。半导体操测嚣的(射竣曼 t度为24轴-VCR／h)．当照射量搴在大妁 150R／11时．DM91擐稿嚣进入乜和区。谴啊不 适音太膏荆量率的一量．这可髓墨由于其探■ ■L入t冲计量●^吐 ● 嚣的工作电压妁为1．1V的缘故． 量5 aⅥ9】个^荆量瘦卫示性■曲囊 2)由圈5可以看出。显示特性曲线姥性非 常好t使■入脉冲鼓与显示值威正比，线性在l十量袅． 3)实礁中发现在租低剂t率聍，目CFU记录的殊冲较步．由于统计谖羞的原目，造成误 差较大． 1∞ ’ ●考文t； [1】青●暮。尊．膏垮膏P蕾罔赣撵稿■研翻U]．藿电子学与探奠技术。1992，12(增刊)t134． [2]．毛格芳。尊．硅t条探疆l暑的研捌和舅试CⅡ棱电子掌与撵鞠拄