深亚微米PESDMOSFET特性研究及优化设计.pdfVIP

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov 深亚微米 PESD MO SFET 特性 研究及优化设计 孙自敏　刘理天　李志坚 (清华大学微电子所　北京　100084) 摘要　 本文对多晶抬高源漏(PESD ) M O SFET 的结构作了描述, 并对深亚微米 PESD M O S FET 的特性进行了模拟和研究, 看到 PESD M O SFET 具有比较好的短沟道特性和亚阈值特 性, 其输出电流和跨导较大, 且对热载流子效应的抑制能力较强, 因此具有比较好的性能. 给出 了PESD M O SFET 的优化设计方法. 当M O SFET 尺寸缩小到深亚微米范围时, PESD M O S FET 将成为一种较为理想的器件结构. : 2500, 2560, 2560 EEACC R 1　引言 [ 1 ] 减小源漏结深是抑制短沟道效应与穿通效应以及改善亚阈值特性的有效措施之一 , 通过较小的源漏结深可使M O SFET 的短沟道效应及穿通效应得以改善, 亚阈值特性较好. 但较小的源漏结深将引起源漏串联电阻增大, 器件的输出电流和跨导减小, 使器件及其电路 的驱动能力和速度降低. 另外较浅的源漏结也带来源漏接触的可靠性问题. 抑制短沟道效应 和避免源漏穿通及获得较好的亚阈值特性要求源漏结深尽可能小, 而提高跨导和速度则要 求源漏结深尽可能大, 这是小尺寸M O SFET 器件中需要解决的一个矛盾, 解决这一矛盾的 [ 2～ 4 ] [ 2 ] 一个很好的方法是采用抬高源漏的结构 . 抬高源漏结构M O SFET 首先由W ong 等 提 出, 目的是形成非常浅的源漏结深来抑制 中的短沟道效应. M O SFET 多晶抬高源漏( : ) 是这种结构的典 PESD Po lysilicon E levated Sou rce D rain M O SFET 型例子. 采用多晶硅抬高源漏工艺上易于实现, 源漏串联电阻较低, 另外可将器件的源漏扩 [ 3 ] 散区做得很小, 而使源漏区多晶硅绝大部分位于场氧上面 , 一方面大大减小源漏结电容, 另一方面也缩小了器件本身所占用的面积. 源漏结若以扩散方式形成缓变结, 将使得 PESD [ 5 ] M O SFET 的热载流子