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DC/AC 逆变器的制作 这里介绍的逆变器（见图）主要由 MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出 功率取决于 MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合 电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。--拓普电 子 1.电路图 2.工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器（见图 3 ） 这里采用六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻，用于改 善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1 充放电 完成的。其振荡频率为 f=1/2.2RC 。图示电路的最大频率为： fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10- 6=48.0Hz 。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地 避免影响其它电路。 场效应管驱动电路。 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关 电路，这里用TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V 。如图4 所示。 MOS 场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下 MOS 场效应管 的工作原理。 MOS 场效应管也被称为 MOS FET ， 既 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两 种。本文使用的为增强型 MOS 场效应管，其内部结构见图 5 。它可分为NPN 型 PNP 型。NPN 型通常称为 N 沟道型，PNP 型也叫 P 沟道型。由图可看出，对于 N 沟道的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其 源极和漏极则接在 P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出 的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认 为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我 们称之为场效应管的原因。 为解释 MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个 P—N 结的二极管 的工作过程。如图 6 所示，我们知道在二极管加上正向电压（P 端接正极，N 端接 负极）时，二极管导通，其 PN 结有电流通过。这是因为在 P 型半导体端为正电压 时，N 型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的 P 型半导体端，而 P 型半导 体端内的正电子则朝 N 型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加 上反向电压（P 端接负极，N 端接正极）时，这时在 P 型半导体端为负电压，正电 子被聚集在 P 型半导体端，负电子则聚集在 N 型半导体端，电子不移动，其 PN 结 没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图 7 ），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之 间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图 7a ）。当有一个正电压加在 N 沟道的 MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时 N 型半导体的源极和漏 极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个 N 沟道之间的 P 型半导体中（见图 7b ），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。 我们也可以想像为两个 N 型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们 之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图 8 给出了 P 沟道的 MOS 场 效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。 下面简述一下用 C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）组成的应用电路的工 作过程（见图 9 ）。电路将一个增强型P 沟道 MOS 场效应管和一个增强型 N 沟道 MOS 场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P 沟道 MOS 场效应管导 通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N 沟道 MOS 场效应管导通， 输出端与电源地接通。在该电路中，P 沟道 MOS 场效应管和 N 沟道 MOS 场效应 管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们 可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到 0V，通 常在栅极电压小于 1 到 2V 时，MOS 场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压 略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。 由以上分析我们可以画出原理图中MOS 场效应管电路