利用D-T中子刻度铀裂变靶中子探测系统灵敏度.pdfVIP

全国第十二届核电子学与核探测技术学术年会论文集 ofthe12th NationalConferenceOn Nuclear Proceedings Electronics＆NuJearDetection Technology 利用D—T中子刻度铀裂变靶中子探测系统灵敏度 张国光“2，张建福1，张忠兵1，马彦良1， 欧阳晓平1，金玉仁1，张前美1，侯龙2，周祖英2 (1西北核技术研究所，陕西西安710024；2中国原子能科学研究院核物理所，北京102413) 摘要：介绍了在原子能科学研究院T一600苎墨笪塑堡上用D—T中子作为登查!三翌，采用硅HN探测器记录 了裂变铀靶的裂变碎片能谱，并对裂变靶中子探浏系统的中子灵敏度进行了刻度。对中子注量监测、能量刻度和铀 靶参数的有关问题也进行了分析。 关键词：裂变碎片；伴随粒子法；灵敏度刻度；裂变靶 0引言 利用裂变法进行中子强度测量是较为经典 的研究方法。在脉冲中子测量研究总，为了提 (2) 高探测系统的灵敏度，设计了具有狭缝准直的 5．=4．425×10。=％B，≠。(3) 裂变中子探测系统，该系统较常规裂变系统灵 其中％为具有能量B(用MeV表示)的裂 敏度可以提高2—3量级…。由于投有足够的 变碎片计数，=。岛由多道谱仪确定，≯．由伴随 脉冲强中子源进行灵敏度实验，而且D—D中子 粒子法得到。 强度相对较低，中子灵敏度的刻度一般在稳态 中子发生器上利用D—T中子进行。刻度过程 中，伴随法中子注量监测、多道系统能量刻度以 及裂变靶参数测量等是影响裂变中子探测系统 刻度的重要环节。 l测量方法 利用原子能院T一600高压倍加器上D—T 反应获得的0。方向稳态中子作为刻度中子源， f。祟盟刚玩 中子柬入射到靶面法线方向与其入射方向成 90。的裂变靶上，裂变碎片由硅PIN半导体探测 瓦：篆 ㈤¨’ 器所探测，信号经放大器放大后，进人多道分析 日2下甄 器记录。由于硅PIN探测器的直照灵敏度相对 ’“嚣(日)～。 较高”1，必须设计大型屏蔽体对探测器进行整 体屏蔽，在原子能院设计加工了较大型屏蔽体， 对探测器的屏蔽可以达到4个量级以上。靶室 在动态真空条件下使用，转换靶为”u或“U 靶，定义中子灵敏度为： S。=三％q^／≠。 (1) 量为2．877MeV。1550方向和O。方向上的各向异 性因子为1．305，探测器的接收立体角们。为行，由于裂变碎片能量很高，在高能端的线性不 会很好，在此次实验中，裂变靶中子探测系统能 1．3107×10一。经过计算，靶片处的中子注量 奉。为： 量刻度在原子能院HI一13国家串列加速器实验 III厅进行。离子由相应要刻度的硅PIN探测器 进行收集，然后送多道进行记录，经刻度后多道 的放大倍数、成形时间等参数不能改变。【j离 子能量：E，=10．07MeV，E：=20．03MeV，E，= 8001MeV。 衰I 多道系统能量刻度数据表 图1’H(