基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究.pdfVIP

第53卷 第 5期 中山大学学报 (自然科学版) V01．53 No．5 2014年 9月 ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS SUNYATSENI Sep． 2014 基于 IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究 李 力，姜辰明，黄 铭，沈 辉 (中山大学太阳能系统研究所，广东广州510006) 摘 要 ：在叉指状背接触太阳电池 (IBC电池)的制作过程中，一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进 入已经扩硼的区域，在有二氧化硅保护的区域 ，P 区保持不变，在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n 背表面场，从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚 度，厚度从0nm到 124nm，然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像，研究不同厚度下的二氧化硅掩膜 对磷扩散的阻挡作用。同时，还测量了在不同情况下硅片的少子寿命 ，以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺， 为 IBC电池工艺的后续研究提供参考。 关键词 ：IB