半导体光致荧光传感器温度特性分析.pdfVIP

维普资讯 半导体光致荧光传感器温度特性分析 成 督 ·f 程 学聩 奄硐 光 毋 奉 -4苔砖担道 o～20Il【温疃 范刨1 芈导体茕流子爱台发先和扩散理论计算作 曲传 礴器的P (a^s／GaA1As 异质 的黄光光 芒特性。峰值玻长和峰值光强随温度 移昀计算站 与 国卟抠道 曲謇骑葑据杆 奸。同目t．对光谱半宽亦作 了计算和 比较． ● 舒 一 ． {I 富 孽 GaAs／GaAIAs双异质结构 半导体的荧 特性研究是半导体激光器和发光 极 臂 帕堆 础。由于器件通常 f作 室温或采取致冷措魔 以防 l}m F温度 化呖qI起的输 波长和光强 的 化．所以迄今为止对上述结构的荧 。光谱 ■ 1 特忡 帕理论和 实验 研究大 都只 限于 300K 以 F 的某些特定温度附近 “一 尚束 见有更高温睦 光生载漉子的复台过程在厚 度 为d的 (d5 范疆∞理论计算。T986年．瑞典c OvIen等人 P．m)GaAs层 f称为有探层) 内进行。设横 向 利，H上述 p型结构的半导体作为 纤测沮系统 尺寸远大于有灞l层厚度 d。可用一维扩散方程 的传感嚣，狂大型 电器设备上 进 行 _『疆宦甑 描述过藕少数载漉子的浓度分布 A-( ) 。 谟I。铡 温 范围为0：--Z00℃ 。于是，为开发这 D +G (x)一 垒 一o 类光致发光光纤强 度传感器，l建立宦温以 I (1) 质结半导体荧光特牲 的理论就成为急待解决舯 式中 fJ 过剩少数藏渣子扩散系散， 问题 $置IIJ半导体 载流 f复台发光及扩散 删 过剩少教载藏子寿命， 论首 次书 l二述 温褒范腰 内从理论 t分析 rP ， _-光生载 漉子产生卑 GaAs—baA1As双异质结构韵荧光光 诺特性， G (xP窖 (1一R)F．n． ‘等G 一·‘ (2) 并佧 觜值计嚣 冲算结果表明，光踌特性帕 其中 F。 八射光子通置密度} 两 荤饔参 } 峰值渡长和峰值光强随温 t 一 界面反射_蕉鼓， ’ 的镡 移规律 与 芷献 4 实验结果 吻合较好。对 另 个参骷 光谱毕宽世作 r计算和 比较 ． n。～ 入射光 的暖收系数 设双异质鲒界面烛藏渣予 复 合逮 事棚辱 理论和数值计算结果对 ．汁制作这种类型 的传 (卵S。一s-一s)，有边界条件： 感器具有重要的参考价值 -