405nm波段光栅外腔窄线宽蓝紫光半导体激光器.pdfVIP

激光与 电寻学进展 52，031404(2015) Laser 0ptoelectronicsProgress ~2015(中国激光》杂志社 405Hi波段光栅外腔窄线宽蓝紫光半导体激光器 李 斌 涂 嫔 徐勇跃 李 哲 余安澜 王新兵 左都罗 华中科技大学武汉光 电国家实验室，湖北 武汉 430074 摘要 自由运行的半导体激光器 由于谱线较宽而无法满足如拉曼散射等对线宽有要求的应用需求，因此获得线宽较窄、 波长稳定的半导体激光器十分必要。采用反射式全息光栅作为谱线窄化元件 ，研究了在Littrow布局下的405nm外腔 半导体激光器 。反射式全息光栅 的加入 ，使得光栅面和半导体激光器的输 出面组成耦合外腔 ，这在很大程度上改善了 405nm半导体激光器的线宽性能。实验结果表明，通过加入2400line／mm的反射式全息光栅形成外腔反馈，半导体激 光器 的阈值电流由31mA下降到 22mA，谱线宽度从 自由运行时的lnm减小到0．03nm以下，实现了窄线宽输出，并且 在工作电流为100mA时，得到窄线宽半导体激光器的输出功率为28mw，为 自由运行半导体激光器输 出功率 的31．7％。 此外，通过调节反馈光栅的角度 ，实现 了较大电流范围的激光波长 的连续调谐 ，最大调谐范围达3．5nm。 关键词 激光器；半导体激光器；光栅外腔；窄线宽 中图分类号 TN248；TN365 文献标识码 A doi：10．3788／LOP52．031404 Narrow LinewidthDiodeLaserwith GratingExternalCavity in 405nm Band LiBin TuPin XuYongyue LiZhe YuAnlan W angXinbing ZuoDuluo WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics，HuazhongUniversityofScienceandTechnology， Wuhan，H ubei430074，China Abstract Free—runningdiodelaserscannotm eetthedem andsforthelinewidthin theapplicationsduetotheir broadlinewidth suchasRamanscatteringandSOon．Thereofre，itisquitenecessarytodevelopdiodelaserswith narrow linewidth，steadywavelength．Areflectiveholographicgratingistakenasalinewidthnarrowingcomponent， anda405nm diodelaserwithexternalcavityinLittrow configurationisstudied．Astheintroductionofthereflective holographicgrating，acoupledexternalcavityisbuiltbetweenthesurfaceofthegratingandtheemittingsurfaceof thediodelaser，anditimprovedthelinewidthperform anceof450nin diodelasertoalargeextent．Theexperiment resultsshow that，byaddingthe2400line／mm reflectiveholographicgrating，thethresholdcurrentofthediodelaser isreducedfrom 31mA to22mA，andlinewidthisreducedform 1nm to0．03nm offree—running，andnarrow line widthoutputisrealiz