新型多晶硅制备直流还原电气系统(final).pdfVIP

新型多晶硅制备直流还原电气系统 北京京仪椿树整流器有限责任公司，北京，100040 摘要：针对目前广泛应用的多晶硅还原炉交流电气系统功率因数低、谐波含量 大等问题，介绍了一种高功率因数、低谐波含量的新型多晶硅还原炉直流电气系 统，着重介绍了该直流电气系统中高压启动电源和直流还原电源的工作原理。最 后给出了该直流还原电气系统首个工程应用效果。 关键词：多晶硅；电气系统；直流还原电源； 1.引言 从多晶硅的主要生产工艺的技术现状和发展趋势来看，改良西门子法能够兼 容电子级和太阳能级的多晶硅的生产，以其技术成熟、适合产业化等特点，成为 现代多晶硅生产普遍采用的首选工艺。目前我国大部分厂家采用的多晶硅生产工 艺是改良西门子法，其原理就是在 1050℃左右的高纯硅芯上用高纯氢气还原高 纯三氯氢硅，生成的多晶硅沉积在硅芯上。但在未投入加热电源时，高纯的硅芯 电阻率很高，需要经过特殊方式加热或者使用高压电将其击穿。随着硅芯温度的 升高，硅芯阻值逐渐降低，降到合适的范围后，由常规低压还原电源为其提供持 续的电能，使其保持在 1050℃左右进行还原反应，生成多晶硅。多晶硅还原炉 电气系统就是一套完成对高纯硅芯高压击穿并为其还原反应提供持续稳定可调 还原电源作用的装置。 目前，国内制备多晶硅的还原电气系统绝大部分都是交流还原电气系统，主 要包括高压击穿电源和交流还原电源，其交流还原电源通常采用副边多抽头的还 原变压器，通过调节晶闸管导通角和切换变压器抽头相结合的交流调压方式给硅 棒提供还原反应所需的电能。这种交流调压方式仅能工作在工频频率下，导致其 所用的变压器等磁性器件成本高、体积大；另外，工频频率下交流集肤深度的限 制使得整个硅棒导电不均匀，进而影响成品的品质。交流系统由于采用晶闸管调 压方式，导致供电电网功率因数低、谐波含量大以及存在三相不平衡等问题，还 需另外增设无功补偿等装置，增加了企业投入和生产成本。 本项目组对目前国内多晶硅还原炉电气系统进行了研究和分析，开发出了一 种高功率因数低谐波含量的实用新型直流还原电气系统。 2. 直流还原电气系统 基于我司多年来在多晶硅交流电气系统的开发和现场工程应用的基础上，近 期成功研制出了国内首例自主知识产权的用于 18 对棒多晶硅还原炉直流还原电 气系统，并已于某现场成功投入运行。整个直流电气系统包括1 台打压电源，3 台隔离开关柜和3 台直流还原电源柜，其系统框图如下图1 所示。 隔离开关柜 打 12kV打压电源1 压 12kV打压电源2 K1 电 源 12kV打压电源3 硅棒1 直 斩波模块1 流 K3 K2 K5 硅棒2 还 斩波模块2 原 电 K4 K6 硅棒3 源 斩波模块3 图1. 直流还原电气系统框图 还原炉内硅芯常温时处于半导体状态，初始电阻高达几百千欧姆甚至数兆欧 姆，大大超出了直流还原电源的负载要求范围。为了能使直流还原电源正常投入 运行，必须先将硅芯电阻降至合适的范围内，这里采用高压击穿电源先将硅芯击 穿，击穿后硅芯电阻降至几欧姆，然后再迅速投入直流还原电源，由直流还原电 源持续提供还原过程中硅棒生成所需的电能。 2.1 打压电源 打压电源原理图如下图2所示，380V交流电压经过反并联晶闸管T1和T2连接 至升压变压器原边1档，变压器副边额定输出电压为12kV；经过反并联晶闸管T3 和T4连接至变压器原边2档，变压器副边额定输出电压6kV ；经过反并联晶闸管T5 和T6连接至变压器原边3档，变压器副边额定输出电压为2kV；根据负载硅芯阻值 的变化，选择合适的原边档位，调