新结构端面入射条形X射线探测器的研究.pdfVIP

竺：坠±!!!． 苎±二璺全望兰三查：苎三查：垄兰查兰查±全 !：L皇竺 新结构端面入射 条形X射线探测器的研究4 谢凡，杜树成，韩德俊 (北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京师范大学低能核物理研究所，北京100875) 摘要：选择高阻N型100单品硅材料，x射线探测器为PIN管结构．为了减少器件表面缺 陷对暗电流的影响，在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区，以减小器件的 暗电流。通过对比实验发现，当N区的注八量增大时，在相同反向偏压条件下，器件的暗电 流密度随之减小，同时击穿电压也相应减小。为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时 的暗电流密度，我们还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb／Au合金形成欧姆接触。 对减薄后的器件进行I．v特性别量，由于工作电压大幅降低，器件正常工作时的暗电流密度 大幅度减小．同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大，将器件温度降低到．15℃时， 暗电流密度可降低到1nA／mm2以下． 关键词：X射线探测器；PIN管结构；暗电流密度；N型保护区 1引言 x射线的探测一直是科学研究的一个重要领域 目前的应用也非常的广泛，如医用的X光霹片， CT，X射线集装箱检测系统等。它”J有各自的特点 发挥着各自的作用，其中最为普遍的就是医用的 X光片。 医用x光胶片是使用感光胶片作为x射线的感光材料，但是胶片感光后形成的影像质量由于受到 胶片的特性曲线和颗粒的大小影响而不是很理想，并且冲洗胶片费时费力，还不能重复利用，信号也 不是数字化的．不利于计算机的处理和网络上的传送…。为了克服这些缺点，我们选用半导体材料进 行x射线探测器研究，使用半导体材料直接吸收x射线并产生电子空穴对．电子空穴对被电极收集而 形成数字信号。我们的目的是研究一种新结构端面入射条形x射线掾测器以代替医用x胶片。实际使 的信号响应，必须使探测器有相当的长度来吸收x射线”1。为此我们设计了端面入射条形x射线探测 器，为了符合实际应用，必须在x射线探测器的分辨率，对比度以及信噪比等参数上进行深入研究， 以提高这些参数值。隐含在其中的一个很重要的因素就是x射线探测器反向偏置时的暗电流大小，只 有具有很小的暗电流，x射线探测器的散粒噪声才会小。 目前高阻单晶硅材料x射线探测器的研究在国外开展很多，如：美国，意大利，法国，比利时， 斯洛文尼距等。暗电流的来源主要有：耗尽区的产生电流．PN节中的扩散以及由器件表面引起的漏 电流13]。为了减小器件的暗电流．我们在传统器件结构的基础上设计了一种新的高阻单晶硅材料X射 线探测器结构，传统器件结构是PIN管，我们在二极管的P区两侧通过离子注入形成N保护区，器件 的制作f艺过程没有采用吸杂工艺。由于N保护区的存在改变了器件的电场分布，减小了耗尽层向两 边的扩展，从而减小了耗尽区的产生电流，并且减小了由器件表面引起的漏电流。我们对一些参数对 器件咕电流的影响进行了深入的研究。美国加州劳伦斯伯克利国家实验室，他们选择loKn．cm100 的硅，使用新的工艺过程制作PIN二极管探测器。在制作过程中．在器件的背面使用了吸杂工艺。吸 杂这一过程使得有害的杂质在器件的工作厩域的含量大大的减少，这也降低了器件的反向漏电流。为 ·奉项研究工作获得国家自；【}!；科学基金和教育部重点基金支持． 2001年lo月 新结构端面入射条形x射线探测器的研究 了进一步减小反向漏电流，在器件的电极边缘还做了保护环。他们的研究结果是：采用吸杂工艺的探 测器反向漏电流在反向电压0-100伏变化不大，电流密度大小约为l一2 nA，cm2，而没有采用吸杂工 艺的探测器反向漏电流在40—50伏后有明显的增大，即软击穿特性，暗电流密度大小随着反向电压增 大变化范围约为0．7—50uA，an¨…。 器件工作时，加反向电压将器件耗尽，耗尽层吸收x射线产生光生载流子，在电场的作用下被电 极收集。实验中我们对器件背面进行减薄，而后背面抛光和AuSbtAu台金形成欧姆接触。器件减