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一种基于CMI及差分电流结构的紫外探测读出
电路的设计及仿真
蔡波王翔
(北京航空航天大学电子信息工程学院北京100083)
摘要本文提出了—种基于电流镜镜像积分(CMI)及差分电流结构的GaN紫外探测器读出电路结构，
分析了该读出电路结构的工作原理及特点．通过SPICE对电路结构进行仿真验证，结果显示该读出电路
结构可以对探测器的光响应电流信号进行有效的读取．
关键词CMI；差分电流模：ROIC；SPICE
and UV
Simulationofa DetectorCMOSReadoutCircuitBased
Design
OnCurrent andDifferentialCurrentMode
Integration
Mirroring
Cai
Bo，WangXiang
ofElectronicand
(School Information 100083)
Engineering，BeⅪaangUniversity,Bej=ihlg
(alpineboo@163．eom)
Abstract：The aCMOSROICforGaNUVdetectorsbasedoncurrent
paperreports mirroringintegration(CMO
anddifferentialcurrentmode．Thecircuitandits ale simulationhas
characteristic
analyzedparticularly．Spice
thatthecurrentofdetectorscanbe readout thisROIC．
proved signaI efficientlythrough
Words：CMI；DifferentialCmrent
Key Mode；ROIC，SPICE
1．引言
紫外探测技术目前正成为继红外、激yt2_后的另—个重要的军民两用光电探测技术。CaN紫外探测
器具有光电转换量子效率高、表面复合率低、在苛刻的物理和化学环境中有高的稳定性的特点，性能大大
超过了传统的紫外光电探测器而正被国内外广泛的研究和应用。GaN紫外探测器的暗电流较大，在此情
况下有效的检测出探测器的光响应电流信号成为探测器读出电路的主要任务，因而紫外探测器的读出电
路已经成为紫外探测技术的重要组成部分。
早期的探测器的读出电路主要有自积分结构SI、源极跟随器结构SFD、直接注入结构DI。在sI与
SFD结构中读出电路的积分电容是探测器本身的结电容，由光激发的电荷被直接积分到探测器的结电容，
探测器的偏置电压会随积分过程而变化结果会导致探测器偏压的不稳定以及读出电流的非线性【lJ。DI
结构有自己独立的积分电容，探测器的偏压保持稳定，但是注入效率很低。缓冲直接注入结构BDI是在
直接注入结构DI的注入管和探测器之间增加了一个反向增益级。该结构的输入阻抗因为负反馈而减小，
因此注入效率较高[21131。电容跨阻抗放大器结构CTIA与BDI结构的不同之处在于积分电容和复位管被
放置在放大器的反馈回路中，与先前的几种结构相比它有更好的读出性能，不过注入效率和探测器的偏
置电压与放大器的性能有关【4】。此外较新的结构为电流镜像直接注入结构CMDI与开关电流积分结构
SCI。CMDI结构的电流源采用共源共栅的镜像结构，探测器有稳定的偏置电压，注入效率也较高，不过
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