D-D中子源中子反射实验.pdfVIP

核物理与等离子体物理 35 和精度，并通过与旧结构进行实验对比，研究电极结构和负载初始状态对实验结果的影响程度和控制方法。 在针对强光 1号丝阵内爆实验的新电极结构设计中，对阴极和阳极均进行了结构分解，如图1所示， 从而将负载的安装过程分解为预装配和现场就位两个阶段。 预装配阶段可在实验现场之外进行，以改善装配环境和精度。预装配阶段主要将丝阵装配在阴、阳极 结构的内芯部分，装配完成后的状态如图1(a)所示。 就位阶段在实验现场进行，要求能实现快速准确就位，以提高对负载初始状态的可控性和实验状态的 重复性。就位阶段将预装配阶段完成的内芯部分精确定位在回流罩和强光 1号装置负载区，完成后的状态 如图1(b)所示。 (a) Co) 图 1 负载电极新结构 实验现场安装情况表明：旧装配方式下负载的就位状态较难控制，需要从各个方向观察丝阵的倾斜和 扭曲程度，并进行反复调整，安装时间长；新装配方式下负载的就位精度和同轴性容易控制，安装时间短， 提高了负载现场安装就位精度，丝阵就位后的同轴性和平直度明显改善，负载初始状态重复性好。 内爆实验结果表明，采用新电极结构和装配方式，早期发光区的均匀性、电极附近的喷射及环状发光 等现象得到明显改善；内爆滞止阶段辐射区更均匀平直，如图2所示。 2004年 shot 04159 2004年 shot#04168 删 shot#o7021 shot#07022 图 2 滞止阶段发光区均匀性 比较 丝阵负载电极结构改造及负载初始状态控制对Z—pinch实验精密化具有重要意义。因为存在多种因素 制约等离子体内爆同步性，而增加内爆前负载静态丝间隙均匀性和抑制内爆早期电极有害的离子喷射，是 减少内爆等离子体非均匀性的重要措施，它有利于提高x光辐射分布特性的稳定性，并增加实验数据的可 靠性。 ‘ 2．14 D—D中子源中子反射实验 温中伟 刘 荣 王 玫 林菊芳 根据检验计算方法和参数的需要，开展 D-D 中子源水泥材料反射中子实验研究。实验中，通过对直 穿透射中子以及水泥反射体反射中子引发 u(包镉)和 。U裂变率的测量，得到在不同测量点上反射体对 36 中国工程物理研究院科技年报 中子的反射系数。由于反射中子注量率通常较弱，因此采用固体核径迹法进行裂变率测量。 建立的实验模型为：D—D中子源厂空气广慢化吸收体，铁球壳。探测器采用固体径迹探测器，并用火花 自 动计数器进行径迹读数。聚酯膜作探测器材料，铀镀片作为转换靶。测量点选在与铁球壳外表面的水平赤 道方向成不同确 处。进行反射中予测量时，实验模型外加水 泥反射体，在无水泥反射体实验测量中，应扣除实验大厅散射 本底。本底扣除采用实验测量与理论计算相拟合的办法。照射 时间参照 MCNP模拟计算结果，使大部分信号膜径迹数在 200-600个。 测量了无水泥反射体实验模型、无水泥反射体本底模型、 有水泥反射体实验模型 3种状态下 u(包镉)、 U裂变反射 率，并根据有、无水泥反射体状态下测量的裂变率，得到水泥 o／(。) 反射体对中子的反射系数。实验结果见图1。从图1可以看出， 图 1 水泥反射体中子反射系数 120。与 180。点距离反射体较近，因此反射效果较强。0。点由于 距反射体较远，且一部分反散射中子被组合屏蔽材料吸收，因此反射效果较弱。实验结果表明，反射效果 除了与中子能量有关外，还与测量点位置有关。 2—15 丝阵内爆可见光辐射区径向变化过程实验 李林波 杨建伦 徐荣昆 钟耀华 王 真 甯家敏 在Z-pinch实验中，为了研究丝阵内爆过程，给出内爆轨迹、内