D—D中子在聚乙烯球壳内的反应率测量.pdfVIP

38 中国工程物理研究院科技年报 能实现对Z-pinch软X射线源的聚光要求。聚光结果为：透镜输入的软X射线功率密度为 1．0xl0。W／cm2， 在透镜后焦点即距离透镜出口端62mm处获得了光斑为 mm，平均功率密度2．1xl0W／cm2的软X射线。 重 量 实验测量焦斑形状和尺寸大小 计算机模拟焦斑形状和尺寸大小 图 2 透镜聚光的实验结果和模拟结果的比较 2．17 D—D中子在聚乙烯球壳内的反应率测量 朱通华 刘 荣 蒋 励 鹿心鑫 温中伟 王 玫 林菊芳 开展 D-D聚变中子与聚乙烯球壳作用的中子学积分实验，用于检验计算方法和相关核数据。实验装 置 由D—D中子源与聚乙烯球壳组成，中子源在聚乙烯球壳外，距球壳外表面 35mm。聚乙烯球壳由两个 半球壳组成，外径 86mm，厚度 100mm。聚乙烯球壳中心与靶心的轴线水平。 中子源为K一400加速器上产生的D-D聚变中子源。D—Ti靶直径#12mill，靶底衬为 O．5ITml厚的无氧 铜。D(d， He中子源绝对中子产额通过金硅面垒半导体探测器测量竞争反应D(d，p)T产生的质子数得 到。当 束流约为250 A时，源中子产额约为4×10S～，中子产额的不确定度约为2．5％。利用核裂变法 和活化法测量反应率，选择了不同阈能的4种探测器，即浓缩铀裂变室(包镉)、弱7Np裂变室、贫化铀裂变 室(包镉)和 In活化箔。裂变室外径 0mlTl，高 l51／1111，外壳材料为cu，底衬材料为Ni。In活化箔尺寸为 18mnix0．3i／lm。活化丫射线由高纯锗探测器测量。 在球壳内水平赤道面上0。，45。，9O。，135~，18O。位置测量 u(o．5eV)， 7Np(O．4MeV)，勰u0．2MeV) 和 ¨In(1．65MeV)(括号内为有效阈能)的反应率。得到了聚乙烯球壳内绝对反应率分布，结果见图1。 H’ 彗 zxz旷2， 褂 妥襄囊 lxlO-~8 靛岳 聪 一 0 4U 80 120 160 0 40 8U 120 160 ，(o) ，(口) (a)裂变反应率 (b)活化反应率 图 1 聚乙烯球壳内4种探测器反应率测量结果 从图l可以看出，绝对反应率从大Nd,依次是： u(镉上)，237Np，38U，nIn，这与4种探测器的能 量闽值和反应截面差异是相对应的。反应率随角度的变化反映出输运路径的差异。∞u对中低能中子，尤 其是热中子的敏感性使得其镉上的绝对反应率比其他3种探测器的大 l～2个量级。 实验测量结果反映了D—D 中子在材料中的输运规律。裂变反应率的不确定度为3．4％ 、9％。活化反 核物理与等离子体物理 39 应率的不确定度为6．7％,-6．9％。实验结果可 ]检验理论计算方法和参数。 2．18 纳秒脉冲／直流强中子发生器及其性能测试 刘 荣 亢 武 周长庚 纳秒脉冲 ／直流强中子发生器主要 由ECR离子源、加速管、高压电源、纳秒脉冲聚束系统、束传输系 统、真空系统、控制系统、辅助系统等组成，具有脉冲和高产额的特点，高压300kV。该中子发生器有两 条传输通道，其中一条为纳秒脉冲束线，产生纳秒脉冲中子，纳秒脉冲宽度小于或等于 1．5ns，重复频率 1kHz~4MHz；另一条为直流或微秒脉冲束线，产生连续中子或微秒脉冲中子，当直流D束流为 10mA时， 采用旋转靶，中予产额可达 l