GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究.pdfVIP

第 23卷 第6期 无机 材 料学 报 Vo1．23．No．6 2008年 l1月 JournalofInorganicMaterials NOV．，2008 文章编号：1000—324X(2008)06—1121—04 GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究 李恩玲 ，王珊珊 2，王雪文 2 f1_西安理工大学 理学院，西安 710048；2．西北大学 信息科学与技术学院，西安 710069) 摘 要： 以氧化镓为镓源，用溶胶 一凝胶和高温氨化二步法，在 Si(111)衬底上制备出GaN薄膜．x射线衍 射 (XRD)分析表 明制备的 GaN薄膜是六角纤锌矿结构；扫描电子显微镜 (SEM)图片显示 GaN晶粒的尺寸 100nm；薄膜的红外光谱 (FTIR)中有 GaN的E (TO)声子模式．用密度泛函理论 (DFT)计算了氮化镓小团 簇的振动频率．结果表明：富镓氮化镓团簇的振动频率在六方晶系纤锌矿结构 GaN的光学声子峰值附近；富 氮氮化镓团簇中的N N键的振动频率为 2200cm～．用氮化镓 团簇的频谱对所制薄膜的红外光谱作了进一步分 析． 关 键 词：氮化镓薄膜；溶胶 一凝胶；密度泛函理论 中图分类号：078 文献标识码：A Preparation ofGaN Film and Investigation ofVibrational Spectrum ofGaN by DFT LIEn—Ling ．WANG Shan—Shan。 ． W ANG Xue—Wen (1．ScienceSchool，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an710048，China；2．SchoolofInformationScienceand Technology，NorthwesternUniversity，Xi’an710069，China) Abstract：UsingGa203asGasource，theGaNfilmsaresuccessfullydepositedonSi(111)substrates bytwo—stepmethodofsol—gelandhigh nitridationtemperaturetechnique．Theas—preparedfilmswere confirmedassinglecrystallineGaNwithwurtzitestructurebyX—raydifiractionfXRD1．Thedimension ofGaN crystalparticulatesiSsmallerthan 100nm undertheobservation ofscanningelectron micro— scope(SEM)．Moreover) 1(TO)vibrationalmodeofGaNaresurveyedinIRspectrumoftheGaN films．VibrationalfrequencyofGaNsmallclustersiscalculatedusingdensityfunctionaltheory(DFT)． TheresultsshovvthatthevibrationalfrequenciesoftheGareachedclustersareClosetotheDeakSof thephononvibrationmodesofthewurtzitestructureGaN．and 2200cm一 iSan intensivevibrational DequencyofN—N bondstretchinN reachedGaN ．FTIR ofthesampleareanalyzedinfurther． Keywords： GaNfilm；sol—gel；densityfunctionaltheory(DFT) 1 引言