GMR读磁头用面内取向CoCrPt永磁薄膜的结构与性能.pdfVIP

GMR读磁头用面内取向CoCrPt永磁薄膜的结构与性能 李松田，刘 曦，史文魁，曹江伟，魏福林 (兰州大学 磁学与磁性材料教育部重点实验室 磁性材料研究所，甘肃兰州 730000) 摘 要：用磁控溅射的方法在 crlw 衬底上制备 了GMR读磁头中用来提供水平偏置磁场的易轴水平取向 的CoCrPt合金薄膜。研究了crhw 衬底 (200)织构与w含量之间的关系，沉积在CrW衬底上的CoCrPt合 金薄膜微结构及磁性能，以及CoCr中间层的添加对CoCrPt合金薄膜生长出面内取向的 (1120)织构的影响及 磁性能的影响。实验结果表明，CoCr中间层的引入对 CoCrPt合金薄膜易磁化轴的面内取向起到了十分关键的 作用。 关键词：CoCrPt薄膜；织构；磁性能 中图分类号：0484．43 文献标识码：A 文章编号：1001．3830(2008)05．0016．03 M icrostructureandPropertyofLOngitudinallyOriented CoCrPtThinFilm forGM R Head LISong—tian，LIU Xi，SHIWen—kui，CAO Jiang—wei，W EIFu—lin ResearchInstituteofMagneticMaterials，KeyLaboratoryforMagnetismandMagneticMaterials oftheMinistryofEducation，LanzhouUniversity,Lanzhou730000,China Abstract：CoCrPtthinfilmswithlongitudinalorientationofeasyaxisforofferingbiasfieldofrGMRheadhave beenpreparedbymagnetronsputteringonCrl—W underlayer．The(200)textureofCrl— underlayerwas investigated．ThemicrostructureandmagneticpropertiesofCoCrPtthinfilmswithandwithoutCoCrintermediatelayer wereinvestigated，respectively．Theemploymentofa3nm CoCrintermediatelayerwasprovedtobecrucialtosuppress themisfitsbetweenCoCrPtmang eticlayerandCrW underlayer． Kevwords：CoCrPtthinfilm； texture： mangeticproperties 取向的织构。这两种织构分别与 HCP结构的 Co l引言 的 (1120)和 (10T1)织构满足很好的晶体学外 CoCr基合金薄膜不仅可用作传统水平磁记录 延关系，从而能诱导出面内取向的CoCr基合金薄 介质，而且还可以用于 自旋 阀读磁头中，提供水平 膜L5J。对 CoCrPt合金微结构的观测结果，普遍认 磁场的偏置层。无论是作为水平磁记录介质，还是 为，Cr元素主要分布在晶粒的边界上，起隔离晶 读磁头中的水平偏置层，为了充分利用密排六方 粒的作用，它削弱了晶粒问的耦合作用，这对它作 (HCP)结构的CoCr基合金薄膜 的磁晶各 向异性， 为磁记录介质是十分有利的，可 以减小介质的噪 必须使HCP结构的CoCr基合金薄膜的易磁化轴c 声。Pt的添加，可以显著提高CoCr基合金的矫顽 轴平行于薄膜表面 。研究发现，这可以通过将 CoCr 力。这被认为是Pt的添加使Co晶格膨胀，导致磁 基合金薄膜沉积在合适的衬底材料上得以实现。已 各向异性增大的结果。我们知道，异质外延的