硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用.pdfVIP

漂31卷第2期 0基徽 V，oI-31No．2 硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用 季春花，凌惠琴木，曹海勇，李明，毛大立 (上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240) First_author’Saddress：InstituteofMaterialsScience 摘要：研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由 40 50 and Cu(CH3S03)2g／L、甲基磺酸60 g／L及Crmg／L组成)中氯 Engineering，ShanghaiJiaotong 离子的作用机理。采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下CI一 200240，China 的作用效果，并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR) 探讨了Cl一在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影 1前言 响。结果表明：在深孔内扩散控制条件下，cl一对铜沉积有明显 的加速作用；在表面非扩散控制区域，尤其是高电流密度区， 随着信息化社会的发展，人们希望电子产品具有 C1-具有一定的抑制效果。因此，cl一的存在有利于改善TSV深 更强的功能、更小的体积、更低的价格。但半导体特 孔镀铜填充效果，提高填充速率。 征尺寸目前已接近物理极限，以往通过减小芯片特征 关键词：硅通孔；铜互连；电镀；氯离子；甲基磺酸盐 中图分类号：TQl53．14 文献标志码：A Silicon 文章编号：1004—227X(2012)02—0006—04 Via，硅通孔)垂直互连的三维叠层封装为业界 Effectofchlorideionon via in through．siliconfilling 提供了一种全新的途径。该技术能够使芯片在三维方 methanesulfonicacid bath／／JI copperplating Chun-hua， 向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，能大大提高信号 LING Da—li Hui—qin书，CAOHai—yong，LIMing，MAO Abstract：Theeffectofchlorideiononvia fillingbyhigh． inamethanesulfonic 三维封装能否顺利实现产业化的关键技术之一，但由 speedplating acid(MSA)bath composed ．of 40 60 CI一50 for 于深孔镀铜技术难度大、成本高(约占整个TSv三维 Cu(CH3S03)2g几，MSAg／L，and mg／L was interconnection TSV(through．siliconvia)copper 封装成本的40％)、沉积速率慢，很多问题亟待解决， StUdied．Theinfluenceofchlorideionunderdifferentforced 因此成为当前三维电子封装技术的一个重要研究热点。 convectionconditionswasdiscussed disk