aSiOH薄膜微结构及其高温退火行为研究.pdfVIP

第50卷第12期2001年12月 物理学报 V01．50，No12，Deccmbcr，2001 1000—3290／200l／50(12)／2418—05 Sac． AC删PIIYSICASINICA @2001ChinP}l’s a．Si：O：H薄膜微结构及其高温退火行为研究+ 王永谦11 陈长勇¨ 陈维德1’ 杨富华2’ 刁宏伟¨ 许振嘉¨ 张世斌” 孔光临” 廖显伯¨ 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心，表商物理国家重点实验室．北京 100083) 2’(中目科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京 100083) (2001年5月30日收到；2001年6月2213收到修改稿) 以傲区Raman散射、x射线光电子能潜和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氧化非品 硅氧(a—Si：O：H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究结果表明a-Si：O：H薄膜具有明显的相分离结构，富s- 相镶嵌于富O相之中．其中富si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a—si)，富O相为Si，O，H三种原子随机键台 35)介质在析出部分si原f的 形成的SiO。：H(㈨135)．经1150。C高温退火，薄膜中的H全部释出；SiO，：H(J≈l a-si颗粒固丰甘品化的成核 同时发生结构相变．形成稳定的sn和SiO。(x≈O．64)；在析出的sI原子参与下．薄膜叶1 和生长过程得以进行，形成纳米晶硅(nn—sj)研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构，在n。Si颗粒表面和外围 SiO，舟质之间存在着纳米厚度的SiO。(…064)中间相 关键词：a-Si：O：H，nc，Si，微结构，退火 PACC：6140，6146。6170A 2实 验 1 引 言 我们采用传统的等离子体增强化学气相沉积 近年来，多孔硅强的室温可见发光的发现…，极 (PECVD)方法，以s；心，N：O和H：为反应气体，在熔 大的引发和增强了人们企图通过制备低维硅基薄膜 融石英、高阻Si和TI’一Si衬底上制备一系列不同O 材料与器件以实现全硅光电集成的兴趣和信心．与 含量的a—Si：O：H薄膜，其中气体流量分别为：lsi心 多孔硅、Si／SiO，超晶格、氢化纳米硅相比较，化学气 相沉积(CVD)法制备的氢化非晶硅氧(a．Si：O：H)薄=10sccm，反应气压、衬底温度和射频功率密度分别 膜和由a—Si：O：H经高温退火处理形成的包含纳米为l2x 晶硅(Fie—Si)的氧化硅薄膜均同时具备机械强度高、薄膜样品切割成若干等分，在不同温度下的高纯N： 缺陷密度低、发光稳定、制备技术简单且与集成电路 工艺相兼容等诸多优点，但其发光效率距离实际应 man)对退火过程中薄膜的结构变化进行跟踪研究， 用尚有一定的差距．深入研究薄膜材料微结构、发光 以x射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱(丌一 机理及其相互联系对于优化其器件质量和提高发光 m)对所有样品的结构组分和键构型进行表征和 分析． 效率至关重要，然而目前有关a．Si：O：H和nc—Si薄 膜微结构和发光机理的研究尚未成熟，基于不同实 验现象的各种理论模型仍处在相互竞争和争论之 3 结 果 中．与此相关的工作迫切需要系统、细致地深入下