高Tc氧化物晶界结.pdfVIP

第五届全田超导薄膜和超导电子器件学术会议论文集 高瓦氧化物晶界结 藏远东马平 (北京大学人工微结构和介观物理田家重点实验宣) (北京大学物理系100871) 【囊蔓】高温超导氧化物的晶再形成超导Josephson弱连接，人工制作的晶界(倒如双晶村底 上外延生长高瓦超导薄膜形成的晶界)是弯曲的小折线，即晶再小面化了．超导序参数d波对 称性和量界小面化对晶界结的性质育重要影响．本文综述了近几年来田际上在青关方爵的研究 动杏． 1引言 高温超导体发现不久．人们就观察到取向不同的晶粒之间所形成的晶界具有超导 Josephson弱连接的特性，形成了所谓的晶界结．目前，晶界结不仅成为研究高温超导 弱连接及高温超导机理的重要工具之一．而且它也是制作高温超导弱连接器件的主要 方法；另一方面，弱连接的临界电流密度五非常低，比体内的五要低2～4个数量级， 这大大限制了高温超导体的通电能力．在针对高温超导体强电应用的材料研究中，如 何克服颗粒晶界弱连接便成为十分重要的课题。因而，晶界一直是高温超导研究中的 ～个热点。 为了进行深入研究，人们设计和制作了不同晶界夹角的人工晶界结。其方法是在 不同夹角的双晶衬底上外延生长高瓦超导氧化物薄膜，其晶界夹角就是预先设计的双 晶衬底的晶界角。外延生长的高正薄膜一般是C轴垂直于膜面，在西平面内形成晶 界结，晶界的法线总在曲平面内；对双晶晶界结的研究有几个重要发现。晶界的微观 结构观察表明，虽然双晶衬底的晶界十分平直，但在外延生长的薄膜上，晶界不是直 线，而是围绕村底晶界直线曲折地变化(小面化)…，这从薄膜制备过程中晶粒生长 速度的各向异性特征是容易解释的．晶界结的临界电流的研究表明，当晶界夹角(护) 只有几度时，对临界电流密度影响不大；当护大于10。时，临界电流密度五迅速降低； 当护为450时，五趋于零，而且不同的实验结果较为分散。平均地讲，以随矽星指数减 小翻，晶界的特征电压K纰也随晶界角护的增加而迅速下降． 在高温超导电性的机理研究方面．人们发现了高温超导铜氧化物的超导序参数具 有d波对称性．在实验的精度范围内，目前认为它属djo对称性pl。这种对称性对 晶界结的性质有重要影响．它不仅使晶界的临界电流减小，在某些情况下，它使晶界 结成为F结．即结中电流l=l,sin弘但』矗0。在d波配对和晶界小面化的框架下，研 El收到． ★本文于2000年6月24 170 撒远东等：高正氧化物品界结 究晶界结的性质自然成为研究热点。 本文的目的是对近几年国际上在这方面研究的主要结果作一简单介绍。 2 d波对称性和2I结 现在已经清楚-高温超导氧化物的超导序参数具有tz√对称Ⅲ-能隙函数 △佤)=△。COS28，其中f是波矢在拶平面内的投影，护为f与t轴的夹角。(高温 超导体的费米面近似柱状，与丘关系不大)。在CuOz平面内，。、6轴相互垂直，因 而倒格矢t的方向即与晶轴4(或b)一致．这种能隙函数的特点是，在【1lo】方向 (护=互4)有节点(△=0)·而且旋转90’以后能隙函数变号(或增加了一个位相 叱ACe+争一△(研-A(∥’· 对于在双晶衬底上外延生长的c轴取向薄膜， 其晶界如圈1所示．按照d波对称性的观点，通过 这种晶界的临界电流密度： (1) Jo=Jcocos2#,cos282 其中以。为体内的临界电流密度，曷和岛分别 圈1 双晶树底上薄膜的取向示意图 是晶界两侧晶体4轴与晶界之间的夹角， 护=只+岛为两侧晶体的失配角。(1)式表明如果两侧晶体的晶轴与晶界的夹角只和 … 易中有一个小于要，另一个大于冬(这是很容易实现的)，则，c0，此时结中电 ‘ 4 4 流与结两侧量子相位差的若系仍为，=I。sine，但L为负， 』=BoIsin妒=kIsin(尹+力，如果仍认为临界电流为正，则相当于结上的量子相 位差附加了石，因而称为石结．相对而言，通常L为正的结常称做“0”结