ZnO半导体材料和应用研究.pdfVIP

CVS2008年学术年会 论文摘要集 Zn0半导体材料及应用研究 寸志镇 浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江，杭州，310027 摘要 meV，是GaN(25meV)的2倍多，可 体，室温下禁带宽度为3．37eV。ZnO激子结合能为60 以实现室温和高温下高效的激子复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。与GaN相比， ZnO在应用方面还具有很多明显的优势，如：原料丰富，价格低廉；有商用体单晶，可以进行 同质外延；成膜性能好，外延生长温度低；纳米形态丰富多彩，制备简单；易于刻蚀，器件加 工成本低：电子诱生缺陷低，抗辐射性能好；是一种环境友好材料，生物兼容性好。因此，ZnO 用于制备LED、LD和探测器等光电器件，在固体发光、白光照明、全色显示、光信息存储等 节能与通讯领域拥有广阔的应用前景，蕴藏着巨大的经济价值。 本课题组自1986年起开始ZnO半导体材料及应用研究，是国内ZnO研究的开拓者，国际 上最早开展半导体ZnO研究课题组之一，已在ZnO领域取得一系列创新成果。 (1)解决ZnO P型掺杂难题与实现LED室温电致发光 ZnO的P型掺杂是一个国际性科学难题，本课题组通过多年的不断深入研究，先后提出了 Ciil-3，电阻率可以低至0．5Qcm，且稳定性良好。 所得的P型ZnO晶体薄膜，空穴浓度大于1018 在P型ZnO掺杂的研究基础上，制备出国际首个硅基ZnO同质P．n结、国际首个整流特性良好 结并实现了室温电致发光，与日本研究小组的结果相比，我们的P型掺杂方法工艺简单，更具 的P型掺杂与LED室温电致发光研究工作具有原始创新性，2007年获得国家自然科学二等奖。 室温电注入条件下，实现了较强的紫蓝发光，而有效控制了缺陷发光：这为ZnO．LED走向实际 应用又迈出了重要意义的关键一步。 4 CVS2008年学术年会 论文摘要集 (2)ZnO高浓度n型掺杂与优质透明导电薄膜的制备 高质量n型ZnO晶体材料也是本课题组研究的主要内容之一，1988年我们在国际上首次 为ZnO领域国内首个省部级科技奖。近年来，我们利用AI、Ga、In等为施主掺杂元素制备出 外吸收率大于90％，可见光透射率大于85％，红外区域反射率大于70％，是优质的透明导电簟 化物(TCO)薄膜，有望替代ITO薄膜在商业上获得广泛应用。 (3)ZnO纳米材料可控生长与高效纳米场发射平板显示 本课题组利用CVD、热蒸发等不同生长技术，生长出ZnO量子点、纳米线、纳米棒、纳米 管、四角晶须等各种不同的纳米结构，形态可控，性能可调。特别是利用CVD技术，通过改变 生长参数，制备出了直径渐变的ZnO纳米棒，具有很尖的顶端结构，这种结构的纳米材料具有 高性能的场发射特性，开启电场1．0 mA／cm2。纳米ZnO实珊 V／#m，最大电流密度可以达到20 可控生长，场发射特性有创新，获浙江省科技一等奖。 本课题组拥有磁控溅射(直流和射频)、脉冲激光沉积(PLD)、超高真空化学气相沉积 特别是在半导体薄膜材料的高真空CVD制备技术及其应用方面取得重要成绩，创建了国内第一 体薄膜制备系统；发展了低温CVD可控生长新工艺。高真空CVD薄膜制备技术在全国50多家 重点大学和科研单位推广应用，市场占有率高于95％，为国家重要科研单位提供先进薄膜制备 手段，经济与社会效益重大；2项成果先后获省部科技二等奖。 多项，已授权20余项，核心关键技术拥有自主知识产权；在20多次国际大会上做报告，产生了重 要影响。 5