官能化周期性有序介孔有机硅材料合成.pdfVIP

中国化学会第14届反应性高分子学术讨论会 官能化周期性有序介孑L有机硅材料的合成★ 夏燎原容敏智章明秋 聚合物复合材料及功能材料教育部重点实验室 中山大学材料科学研究所，广州510275 自从1 孔材料以来，许多研究利用具有桥连结构的倍半硅氧烷【(Ro)3Si．R‘Si(ROb，R．： -CH2．，．C2H4．，．C2H2-，．C6H4．】取代有机硅氧烷和无机硅等前驱体，在模板剂存在下合成周 期性有序介孔有机硅烷材料(PMOs)，形成了一种新的合成有序介孔有机硅材料的方法。为 了赋予此类材料更多的功能，常利用两种或两种以上具有小同有机官能团的桥连倍半硅氧烷 (或含官能团的有机硅烷)，通过共缩聚的方法合成双／多功能的PMOsl4--61。该方法简单有效 的将有机官能基团引入到介孔材料骨架或者孔道中。同时保持了孔道畅通，且有机官能基团 在孔道表面分布均一。然而，共缩聚法也存在不足之处：即随着含有机官能基团前驱体的增 加，疏水的有机基团将导致相分离，所得产品的介孔有序性降低，甚至完全遭到破坏，有机 官能团的含量也受到限制，尚需进一步的研究予以解决。为此，本工作对共缩聚法制备官能 化周期性有序介孔有机硅材料丌展了初步的研究，为掌握这种方法的规律性提供了有价值的 信息，该材料有望在催化和吸附等方而具有广阔的应用价值I．71。 选择非离子型表面活性剂作为结构导向剂，以桥连苯基硅氧烷(BTEB)和不同摩尔含 量的含乙烯端基有机硅烷(TEVS)为前驱体，在较低的酸性体系中，合成了一系列含乙烯 基官能团介孔材料． 喜 萎 一j．3蕾一警鐾暑 重 2Them／Degree Wavenumber(cm。。) XRD ofthePMOswithDifferent FI-IR ofthePMOswithDifferent Fig．I Spectra Fig．2 Spectra ContentofTEVS CorltentofTEVS 图l给出了所合成的不同TEVS摩尔含量的乙烯基官能化周期性有序介孔材料的x射 10、200 呈现出100、l 3个特征衍射峰，表明该介孔材料为二维的正六方结构，并具有很 好的规聿|}f性。然而，当TEVS的含最分别为5％，10％和20％时，只能观察到一个尖而窄的 100峰和微弱的200衍射峰，这说明了介孔材料仅具有一定的周期有序性。随着TEVS摩尔 含量的进一步增加．介孔材料的规褴性随之下降，样品TEVS．25％和TEVS．30％的x射线 。田客自然科学幕金{基金U0634001)资助项目． ‘ ·113· 中国化学会第14届反应性高分子学术讨论会 衍射谱图上只能观察到100衍射峰。此外，随着TEVS含量的增加，介孔材料的dI∞衍射强 度逐渐减弱，但TEVS．15％样品的强度最大。 分析上述现象认为，乙烯基和表面活性剂之间的相互作用会引起胶束的弯曲变形，所以 随着TEVS含量的增加而导致了部分介孔有序性的破坏。然而，对于TEVS．15％样品，前驱 体BTEB和TEvs在水解过程中可能易于达到某种油水平衡状态，从而有利于前驱体的组 装，导致介孔材料的有序性增加。另一方面，由于前驱体TEVS只含有3个可水解基团(而 BTEB含有6个可水解基团)，所以随着TEVS的增加，材料的交联程度减少，这样也不利 于周期性有序介孔的形成。介孔材料的孔径(见表1)随着TEVS含量的增加，逐渐变小， 但样品TEVS．15％的孔径却突然增大，然后又逐渐变小。这种现象估计与TEVS分子中的乙 烯基团相关，即出现在介孔孔道上的乙烯官能团，会占据了孔道的空问，所以导致了孔径的 减少。 墅垒!竺! 兰塑!坠塑!￡!翌翌!丝翌竺!∑竺!：竺鲤!墅型竺!型!