ZnO纳米线的可控生长和其发光特性研究.pdfVIP

第六届中国纳米科技两安研讨会论文集 ml ZnO纳米线的可控生长及其发光特性研究 贺永宁王东商世广李昕朱长纯侯洵 (西安交通大学屯子与信息T程学院，710049) 摘要：本文利用高纯锌粉氧化的气相输运工艺进行了ZnO半导体一维纳米线的生长制各研究．在常压下 生长湿度6000c在盲口石英舟中得到了形貌一致、产量高的ZoO纳米线；利用ZnO纳米晶作为耔晶层， 在低压下生长温度600。C条件下在硅基片上制各取向性znO纳米线．这两种纳米线的光致发光特性研究结 果表明，商纯高纯锌耪氧化T艺所制备的zn0纳术线，其紫外带边发光光强远大于缺陷发射光强．直径小 于100nm的ZnO纳米线具有显著的置子效廊。 关键词：ZnO纳米线．町控生长，紫外带边发光 I．引言 随着光电子信息存储、处理和通讯继续沿着高速度、太容量发展， 20世纪90年代中 期以来ZaSe．GaN、SiC以及ZnO等更宽带隙的化合物半导体材料及其在高频高功率电子 器件和短波段光电子器件的研究受到了重视．产业界将其称为第三代半导体一宽带隙半导 体。ZnO是I卜vl族直接带隙化合物半导体，熔点为19750C，室温F禁带宽度为3．37eV， 具有远大于室温离解能激子束缚能(60meV)。正是由于具有大的激子束缚能。从1997年 Ohtomo研究小组…报道ZnO外延薄膜的室温下激子激光实验以来，ZnO作为宽带隙半导体 在半导体光电子廊用研究领域此后逐渐受到关注．成为新一代宽带隙半导体材料。近十年来 人量研究结果表明．ZnO对于蓝光、紫光、近紫外波段的光电子器件是一种极具潜力的宽 带隙光电子半导体材料17．31．除了体ZnO半导体的特性，由于ZnO纳米线还具有量子限域、 天量的表面和界面特性等特有的介观物理性质。 ZnO纳米线在紫外激光、光致发光和场致 发射特性等方面具有体ZnO半导体所不具备的优良特性14J。最近的几篇报道I，16J显示了ZnO 纳米线在紫外发光二极管及白光二极管方面的应用潜力。由于ZnO纳米线的制备方法和所 得结构的多样性。ZnO一维纳米线的可控生长对其应用研究非常关键，本文对不同生长条 件下的ZnO纳米线形貌及其光致发光特性进行分析研究，希望得到ZnO纳米线的量化及其 形貌可控生长技术。并实现优良的紫外光电特性。 2．ZnO纳米线的合成及表征方法 采用锌粉的热蒸发氧化法进行ZnO纳米线的制备研究。为了抑制ZnO纳米线中的杂质 缺陷，采用99．999％的高纯锌粉作为蒸发源，将石英舟推入生长炉恒温区后，首先利用离纯 氧气对炉膛进行清洗．然后在常压F大约]00m]／min的氩气流的保护F加热到生长温度(犬 于锌粉的熔点)．再通入60--90ml／min流量的氧气．锌蒸气氧化形成ZnO纳米线。常压下锌 粉热蒸发氧化法制各ZnO纳米线研究中，由于氩气流会将zn蒸气带走，为了得到大产额的 ZnO纳米线，可以在气流出口端通入氧气或者空气，这样很难对ZnO纳米线的生长温度及 其结构形貌进行控制PJ。为了实现特定生长温度下大产额的ZnO纳米线制备，我们采用了 一端盲口的石英舟，如图I所示，这样在蒸发源的上方及周围生长成向色絮状物。发现在 5500C-700。C的生K温度下通过控制生长时间就可以将蒸发源全部氧化：当生长温度小于 500。C时．生成物是明显的ZnO粉末；当生长温度人于750。C，由于锌蒸气在升温过程中 6460)对其形貌进行分析．利用波长 损失较多困而生成物较少．对生成物采用sEM(JSM 325nm的He．cd激光器(KIMMON)对其光致发光特性进行了测试分析。 第A埔中国纳米科技两安研讨会论文集 圈17．aO纳米线的生长系统示意图 利用上述方法．将硅片放置在蒸发源侧面或者倒扣在蒸发源上方可以实现硅基片上ZnO 纳米线的生长，但是Zn0纳米线在硅片上的附着力太差，对后续研究l=作带了困难。首先 在硅基片上溅射锌膜然后在高温下氧化形成厚度为90rim的ZnO纳米晶薄膜(透明)，然后 利用ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层，倒扣在蒸发源之上．升温到600。C在约20Pa氧气氛低压 生长条件下生长约20分钟，表面生长一层白色薄膜．黏附力很好。对所生长样品进行了SEM (JSM6700F)分析和光致发光特性测试分析． 3．实验结