二维方形GaAs量子点电子特性的研究.pdfVIP

第 25卷 第 6期 量 子 电 子 学 报 、b1．25 NO．6 2008年 11月 CHINESEJOURNALOFQUANTUM ELECTRONICS Nov．2008 文章编号： 1007—5461(2008)06—0749—05 二维方形 GaAs量子点电子特性的研究 黄晓亚 ，赵 铧z (1平顶山工学院基础部， 河南 平顶山 467001； 2重庆大学数理学院， 重庆 400044) 摘 要 ：采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势，在密度泛函理论的基础上，使用五点差分法 把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化，然后用 白洽迭代的方法求解二维方形量子点，得出绝对零度情 况下二维方形量子点中处于基态电子的总能量、化学势和电子密度。并讨论了抛物线形限制势的强度对量子点 中电子基态能量、化学势和电子密度的影响，得出了方形量子点多电子系统基态的一些性质。 关键 词 ： 光电子学；方形量子点；化学势；密度泛函；五点差分 中图分类号 ：O471．1；O481．3 文献标 识码 ：A Research on theelectronicpropertiesofthesquarequantum dot HUANG Xiao-yaI．zHA0Hua2 (1DepartmentofMathematicsandPhysics，PingdingshanInstituteofTechnology,Pingdingshan467001，China 2CollegeofScience，ChongqingUniversity， Chongqing 400044， China) Abstract： Usingtheparabolicpotentialasconfinementpotentialin quantum dotandafivepointdiffer— encemethodtodiscretetheSchrSdingerequations，anumericalself-consistentsolutionof2D squareGaAs quantumdotiscrariedoutbasedoffdensity—functionaltheory(DFT)．Thechemicalpotentialandelectron densityarecomputedinthelimitofzerotemperature，andacompraisonbetween chemicalpotentialand theelectron densityunderdifferentconfinementpotentialsismade． Keywords： 0ptoelectronics；squarequantum dot；chemicalpotential；density—functionaltheory；fivepoint difference 1 引 言 近年来，半导体量子点 (Quantumdot，QD)由于其独特的性质 [1I2]越来越受到人们的重视。半导体 量子点的三维量子效应，使电子运动的自由度降低，导致体系的有效状态密度和电子的能量发生显著的变 化，表现出一些新颖的物理特性。现代微加工技术的发展使我们可以控制量子点的外部形状、内部电子数 以及限制势的大小和范围，所以量子点成为研究诸如能量量子化、壳层 电子结构以及尺寸效应等的对象。 由于利用量子点半导体结构可制成高效率激光、光谱探测器、光存储器、量子信息处理器等，因而量子点 系统的研究受到很大重视。 理论描述量子点中电子状态成为众多论文的主题，在低维半导体系统中电子相互作用最适用的是多 体理论 [。]，但其采用二次量子化描述Hamiltonian，数学推导较为复杂，应用并不广泛。文献 [6]采用 作者简介 ：黄晓亚 (1980一)，女，河南许昌人，现于平顶山工学院工作。 E-mail：xiaoya1930@126．com 收稿 日期 ：