硅基SiC薄膜的制备及性能研究.pdfVIP

第 38卷 第3期 合 肥 工 业 大 学 学报 (自然科学版) Vo1．38No．3 2015年 3月 JOURNAL0FHEFEIUNIVERSITYOFTECHNOLOGY M ar．2015 doi：10．3969／j．issn．1003—5060．2015．03．013 硅基 SiC薄膜的制备及性能研究 胡冰冰， 何晓雄 ， 许世峰 ， 孙飞翔 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(1O0)基片上制备了单层SiC薄膜和Al03／SiC双层膜，然 后在不同温度下经氩气保护退火。通过x射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了 结构和表面形貌分析。研究表明：退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态，随退火温度的升高，薄膜结晶更充分， 薄膜表面平均粗糙度变小 ；双层膜与单层膜相比，其SiC衍射峰有所增强，薄膜表面更加平滑。 关键词 ：SiC薄膜；电子束物理气相沉积；表面形貌；X射线衍射 中图分类号：TN305．8 文献标识码 ：A 文章编号：1003—5060(2015)03—0351—04 PreparationandpropertiesofSiC thin film Oilsiliconsubstrate HU Bing-bing， HE Xiao～xiong， XU Shi—feng， SUN Fei—xiang (SchoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：SiCfilm andA1203／SiCbilayerweredepositedbytheelectronbeam-physicalvapordeposition( PVD)methodonsingle-crystalSi(100)substrateandthenannealedunderargonatmosphereatdifferenttern- peratures．ByX-raydiffraction(XRD)andatomicforcemicroscopy(AFM)，thestructureandsurfacemot— phologiesofthethinfilm wereanalyzed．Theresultsshow theamorphousSiCfilm ischangedintocrystalline oneafterannealing．ThecrystallinityoftheSiCthinfilm increaseswiththeincreaseofann ealingtemperature， andtheaveragesurfaceroughnessofthefilm becomessmall 乃ediffractionpaekofthebilayerSiCfilm is strongerthanthatofsinglefilm andthesurfaceofthebilayerSiCfilm becomessmoother． Keywords：SiCthinfilm ；electronbeam—physicalvapordeposition(EB-PVD)；surfacemorphology；X_ raydiffraction(XRD) 碳化硅(SIC)是近十几年来发展迅速 的宽禁 现大批量生产的成熟镀膜技术_l4]。本文采用 电 带半导体材料之一。与应用广泛的半导体材料 子束物理气相沉积方法在 si基底上成功制备了 Si、Ge以及 GaAs相比，SiC材料具有带隙宽、热 SiC薄膜，为缓解 Si基底和SiC薄膜之间因热膨 导率高、功率密度高、临界击穿电场高及饱和载流 胀系数差异大(8 )和晶格失配 (20 )而导致薄 子漂移速度快等特点，是制备高温、大功率、高频、 膜和基底结合不好的问题，引入 Alzos过渡层 ； 抗辐射器件的理想材