单电子器件相关参数的研究.pdfVIP

·38· 2015年1月 电子科技 自然科学 在 ～ 坐标系内分别作 ¨ ， 帆 I， + ，2， “(( +强 0) 4单电子器件结构参数的分析 (峨， 张 ， (一 艟 -v 矗 对于单电子晶体管，按其结构叁数的不同可分为以下三种 斓锇威害整，辫q它 {『】在 V轴 量：的徽 分剐为 氓 轴／2十 》， 魂 ／2+ )／q 情况 ： 毽 ，2-踮)／q 札一一《《，2一 )／q 不同可分为以下三种情况 ： 这四值的大小关系只有四种可能性存在，当b1b3b2b4， (1)R，R2，C，≈C时，其I—V图像基本不显示库仑台阶， b3b1b2b4，blb3b4b2，b3blb4b2时，分别对应着表 几乎为一条直线，此时可根据△v／△ I求出阻值月R，电容 1中II、Ⅳ、ⅡI、I四种隋况。 G 可根据零电流时正向偏置 电压△V。求出 [2】。 (3)在一般的情况下，即当两结阻既不相近也不相差悬殊 (2)两结阻R1， 相差 时，则其图象中的库仑阶梯能够显示出来，但不如前一种情 悬殊 时 (以RR2为例 )， 况明显 [4，6]它们结构参数的提取可根据 (2)式运用Monte 此时库 仑 台阶轮廓较 明显 Carlo模拟来完成 7【，8】。 3【]，此时可根据表 1中的关 下面对 以上几种情况及相关结果作_分析 ： 系式 由库仑阻塞区的长度确 (a)当两结阻相差悬殊时 (以R1，R2为例)，分两种 定其结构参数。表 1 情况来分析 ： 注 ：Q。为岛区电荷量小 (i)RICIR2C2且 C1C2时 数部分，IQol≤e2／，△Vo为 根据 (2)式可知，电子隧穿第二结的隧穿率远小于隧穿 正负阈值电压之差，即库仑阻塞区的长度。 第一结的隧穿率，因此，岛区的电子数通常达到在保持第一结 由传统的分析方法 [4]，单电子器件的源漏电流为 ： 两端电压v1为正值条件下的最大值，当外部电压增加△V使 f()一 ∑￡ tⅣ 》一r 《 )吒 得△V，达到e／(C1+C2)时，岛区电子数增加l，有 · Am(q+ )t／(c,+ )，A 口∑ ( ) I 《 j(N，，『》 m 啪 出岱盘 ， 戒礅r『fN,V) Uv．)分 刚为端 个结 巧。Gv／~c,+ )～_Q(c4-q)， (i=l，2)的电子从右向左和从左向右的隧穿率，为偏压 ／lc《+G)+—2，(c+ ) p(t翰为 为v时有N个电子在岛区的几率