VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜等离子体模拟研究.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料．329． VHF-PEOVD沉积微晶硅薄膜的等离子体模拟’ 研究水 张晓丹‘，张发荣，葛洪，赵颖 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室， 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津，300071 摘 要 采用二维自适应流t奉-49型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。 模拟的结果显示出：同非晶硅薄膜的沉积相比，关键基团的密度具有不同的量级，而且微晶硅薄膜沉积过程 中原子H的密度和通量比较大，是影响其结构的重要基团。另外，SiH3和Sill2基团的密度、通量和非晶硅薄 膜的沉积过程相比较而言，Sill2基团对微晶硅薄膜沉积的贡献增加。最后通过对电子密度和温度的空间分布 研究．表明：甚高频率提高薄膜沉积速率主要是由于电子密度，特别是有效的电子密度的增加而导致的。 关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积；微晶硅；二维自适应流体模型；模拟 引 言 氢化微晶硅薄膜(pc—Si：H)是由微晶粒、晶粒边界、空洞和非晶硅共存的复相材料，相对于非晶硅材料 有很高的有序性，微晶硅电池稳定性大大提高，是解决硅基薄膜太阳电池稳定性的有效途径之一。其光学带隙 能源领域中成为当前的研究热点。但是本征微晶硅是间接带隙材料，在光谱的近红外区，它的吸收系数不是很 高，因此需要1-3pm厚度的来增加它的吸收效率，以提高电池的转化效率，因此，相对于非晶硅而言其需要 较高的薄膜沉积速率。然而，氢化微晶硅薄膜通常是在高氢气稀释硅烷情况下12】，采用等离子体增强化学气相 沉积(PECVD)方法来制备的，这就限制了微晶硅薄膜沉积速率的提高。因此，提高微晶硅的沉积速率成为 近年来微晶硅薄膜太阳电池研究中的一个热点。 氢化微晶硅薄膜的沉积速率和其特性同等离子体的宏观沉积参数，功率、硅烷浓度等是密切相关的。通过 的技术来提高薄膜沉积速率，在高速率的前提条件下，薄膜的质量也得到了保证。另EFinger等人【5，6】也提 出了采用甚高频率的方法，来提高微晶硅薄膜的沉积速率和改善其质量。但，从实验上来调控研究获得高速率、 高质量微晶硅薄膜需要很长的时间，而且也会消耗大量的水、电、气。通过沉积过程的模拟可以为快速获得高 速率、高质量微晶硅提供一定的指导。目前，氢化非晶硅(a．Si：H)的模拟已经历了二十多年，相关理论得到认 o．1lJ，特别是针对甚高频率沉积微晶硅薄膜过程中等离子体的模拟 可p母J。而对于衅一Si：H的模拟研究则比较少【l 则未见报道。 本文采用商业通用的CFD—ACE软件(包括流体模块、热传递模块、化学模块、等离子体模块和电学模块) 和教育部新世纪人才计划的资助。 ‘些哑蝗翌唑查：型!：竺，张晓丹女南开大学信息技术科学学院副研究员 ．330．第十届中国太阳能光伏会议论文集 II 为基础，根据PECVD沉积微晶硅薄膜的具体过程建立了二维自适应流体模型，此模型可靠性已经通过实验数 据和模拟数据的比较得到验证ll2l。本文主要是通过对获得较高效率的微晶硅太阳电池所对应本征微晶硅材料 沉积过程的模拟，来揭示甚高频率条件沉积微晶硅薄膜时，对应等离子体的内部微观参数，比如基团的数目、 离子的数目以及它们的比例，电子的温度、电子的密度等。因为据文献调研，目前还没有人通过测试给出：在 甚高频率等离子体过程中，内部基团和离子的数目，以及它们的比例等。 1．模型与方法 2．1模型基本原理 模型是通过玻尔兹曼输运方程来获得粒子数、动量和能量的平衡方程，然后同泊淞方程相耦合来实现电场 的自适应计算。 关于电子、离子和中性基团的连续性方程如下式： O、n__L．vl’j+V-一JJ：sJ=s (1)(1) af 其中，zj是粒子的密度，了f是粒子的通量，s是在发生化学反应中该粒子产生或消耗后净粒子数。在我们 这个模型中，我们考虑等离子体沉积硅薄膜相关联的中性基团、活性离子和一些稳态分子等共24个物种。这