具有AlGaNGaN超晶格的GaN基LED的PL分析.pdfVIP

3叶哉2015年第28卷第2期 ElectronicSci． Tech．／Feb．15．2015 doi：10．16180／j．cnki．issnl007—7820．2015．02．017 具有AIGaN／GaN超晶格的GaN基 LED的PL分析 丁 娟，王丹丹 ，韩孟序 (西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院，陕西 西安 710071) 摘 要 主要分析了具有P—ALGaN／GaN超晶格的360nmGaN基 LED的光学性能。插入的P—ALGaN／GaN超晶 格结构可以看做是提高空穴注入的空穴限制层。经过PL测试发现，PL谱出现了明显的双峰以及蓝带发光，前者是 由 插入的超晶格引起。而蓝带荧光则是由超晶格中深能级 N空位与Mg浅受主能级之前的辐射跃迁引起的。 关键词 A1GaN／GaN超晶格；LED；GaN；PL 中图分类号 TN23 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2015)02—062—03 PhotolunminescenceAnalysisofGaN-basedLight-EmittingDiodes withan InsertedP．AlGaN／GaN SuperlatticeStructure DINGJuan．WANG Dandan．HAN Mengxu (SchoolofAdvancedMaterialandNanometerTechnology，XidianUniversity，Xi’an710071，China) Abstract Thispaperanalyzestheperformanceof360-amGaN-basedlight-emittingdiodes(LEDs)withanin— sertedp-A1GaN／GaNsuperlattice(SL)structure．TheinsertedSLcanberegardasaconfinementlayerofholesto enhancetheholeinjectionefficiency．Photolunminescence(PL)measurementshowstheexistenceofdoublepeaks andblueluminescence(BL)causedbytheP—SLanddeeplevelofNvacancyandMg—relateddefectinp-A1GaN／ GaN superlattice． Keywords A1GaN／GaN superlattice；light—emittingdiodes；GaN；photolunminescence LED作为绿色固态能源的代表，在不断被研究的 率 。文 中主要分 析发 光波 长在 360nm 处 的具 有 5O年间，大幅提高的器件性能以及不断下降的制造成 InGaN／GaN量子阱结构的紫外LED。 本，使得 LED在各个领域得到了广泛应用，市场应用 在蓝光LED的基础上，不断减少阱层中的In来使 数量不断增长 。随着对蓝绿光 LED研究的不断深入 波长变短，逐渐 向GaN的本征发光谱 (360nm)靠近。 和完善，更多的研究人员将 目光转 向了更短的紫外 以 然而 In组分的减少，会直接导致载流子限制效应变 及深紫外 LED。在应用方面 ，紫外 LED在照 明、杀菌、 弱 ；另一方面，随着 InGaN阱层 中In组分的减少，量 医疗、印刷、生化检测等方面均有重要的应用价值 ， 子阱阱层和垒层能带高度差变低 ，进一步减弱了载流 从环保角度来说，紫外LED能量损耗低、不含汞等有 子限制效应，载流子限制效应的减弱会使得从阱中溢 害物质。随着研究的进步，对