单畴模型在自旋阀GMR传感器设计与应用.pdfVIP

3．微传感器 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会 (请从本指南列表中选取文章所属技术领域) 单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应用 李伟l，p，任天令3，温志渝l2，刘理天3 1、(重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室，重庆市，邮编400030) 2、(重庆大学微系统研究中心，重庆市，邮编400030) 3、(清华大学微电子学研究所，北京市，邮编100084) 自旋阀型GMR传感器在计算机读出磁头、磁场传感器、特别是在生物探测领 域的应用【l。3】，使GMR传感器的研究得到人们普遍关注。目前与MEMS相关的仿 设计进行仿真计算。本文重点介绍了单畴模型在自旋阀GMR传感器设计中的应 用。并对实际的全桥GMR传感器芯片进行测试，与单畴模型的理论计算结果相 比较。 自旋阀薄膜的基本结构含有四层，即“铁磁磁材料构成的自由层／非磁材料构 成的隔离层／铁磁材料构成的被钉扎层／反铁磁材料构成的钉扎层”，它的厚度在 100纳米左右，其中磁性层的厚度在几十纳米的范围，因此，可以把磁性层的磁 畴看成一个单畴。单畴模型【4‘5】是假设：(1)将磁性层看成一个单畴，其行为都是 单畴行为；(2)铁磁层的易轴方向可以连续转动；(3)反铁磁层的各向异性常数无 穷大。在单畴模型下，考虑Zeeman能、交换场引起的交换能、耦合场引起的耦 合能、各向异性能、静磁能和电流磁场能等，各等效场与自旋阀结构的关系见图 1，可以给出自旋阀的总能量表达式，利用能量极小的条件就可以求出不同H下 的秒刚。、护肼，，进而求出自旋阀的磁电阻变化率为： 1 ． ， 、， 脚=去脚【l—cos(％：一‰，)J (1) Z 其中‰，、‰：分别是被钉扎层M肼。和自由层M删：与外磁场的夹角。 图2是单畴模型各夹角的关系，从单畴模型出发，利用Mathlab软件，对实验 测得的自旋阀薄膜的MR。H曲线(如图3a)进行拟合，就可以得出相关的拟合参 数，并得到拟合的MR．H理论曲线(如图3b)。利用这些拟合参数可以对单个磁 电阻的一些参数(如单电阻阻值R、单电阻的变化AR、线宽W、线性范围H姗刚 工作点H。。。等)进行理论计算，并在此基础是上对有四个磁电阻构成的全桥型 GMR传感器(图4)进行模拟计算，给出全桥型GMR传感器的输出电压、测量的线 性范围、灵敏度等参数的理论计算公式，并得到传感器输出电压与外磁场的关系 理论曲线(图5a)，从而为自旋阀型GMR传感器的设计提供了依据。 对全桥型自旋阀GMR传感器芯片的输出电压与外磁场的关系曲线测试结果 (图5b)表明，利用单畴模型对全桥型GMR传感器特性进行模拟分析的结果可 以定性的反映自旋阀GMR传感器的特性，基本能够满足设计自旋阀传感器的需 要。计算结果与测试结果存在一定的差异，一方面说明，实际的自旋阀薄膜自由 层的易轴与被钉扎层的易轴并不完全垂直；另一方面也说明所用的简化的模型， 不能完全反映自旋阀薄膜的实际情况，要让理论分析与试验结果完全吻合，该模 型还有待进一步改进。 l A～340 3．微传感器 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会 (请从本指南列表中选取文章所属技术领域) 参考文献(附主要参考文献格式)： D．et 【2】QianZ，DaughtonJ，Wanga1．，IEEE Tram．Magn．[J]，2003，39(5)：3322—3324 Kand H’Noma 【3】Kanai HongJ．，Fuji￡suSci．Tech．J．阴，2001，37(2)：174．182 E．C．andWohlfarth [4】Stoner E．P．，Trans．RoySoc．【J】，1948，A240：599．642 [5】LabrumeM，Kools