几种湍流模型在晶体生长模拟与应用及比较.pdfVIP

中国工程热物理学会 流体机械 学术会议论文 编号：097030 几种湍流模型在晶体生长模拟中的应用及 比较 1 1，2,* 1 3 刘鑫 ，刘立军 ，王元 ，柿本浩一 1 2 （西安交通大学能源与动力工程学院，西安，710049； 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州， 3 310027； 九州大学应用力学研究所，福冈，日本） * （029ljliu@mail.xjtu.edu.cn） 摘要：利用块结构化网格技术对一典型工业用单晶硅结晶炉进行离散，对炉内硅熔体对流、所有部件 内的传导换热和炉腔内的辐射换热进行整体耦合求解。针对大尺寸坩埚内的硅熔体湍流流动，分别应 用低雷诺数k −ε模型、标准k −ε模型和k −ε两层湍流模型进行模拟。通过比较分析发现，应用 三种湍流模型都能预测高温硅熔体的湍流流动结构，且基本一致，但几种模型中对近固壁湍流的不同 处理方法对固液凝固界面形状的模拟结果有较为显著的影响。 关键词：全局模拟；晶体生长；湍流模型；熔体对流 0 前言 提拉法（CZ）是制备高质量单晶硅的主要方法。近年来，随着现代超大规模集成电 路和太阳能光伏产业的发展，要求提拉法制备的单晶硅不仅直径越来越大，而且晶体质 量要求越来越高。然而，随着晶体硅直径的增大,坩埚直径和炉体尺寸也相应增大，坩 埚内的硅熔体流动和结晶炉内的传热机理变得更为复杂，给传统工艺控制技术的实施带 来了很大困难[1]。 为了提高晶体硅的质量, 必须了解炉内整体传热和熔体的流动特性。但由于对工业 用大尺寸单晶硅生长过程的实验研究存在很大困难和高昂的费用，一直以来，数值模拟 技术都是研究结晶炉内物理现象和凝固工艺的主要工具。多年来，准稳态全局模拟一直 被广泛应用于求解晶体炉内热辐射\凝固界面\热对流的耦合问题。由于坩埚内硅熔体的 流动是影响凝固界面形状和晶体硅质量的重要因素，因此，在全局模拟中必须引入合适 的流动模型来模拟硅熔体的流动。层流假设曾经广泛应用于小尺寸CZ结晶炉的全局模 拟，但数值实验表明，对于大尺寸坩埚内的硅熔体流动，应用层流模型不能得到收敛解， 必须选用合适的湍流模型。许多学者为此做了大量的研究工作，包括低雷诺数k −ε模 型[2] [3] [4] 、包含壁面函数法的标准k −ε模型 、RNG (Renormalization Group )模型 、k −ε [3] 两层模型 等多次被应用于熔体湍流的局部模拟。但在工程实际中, 为了了解硅熔体湍 流与结晶炉内各种物理场的耦合影响,在选用合适的湍流模型的同时，必须将硅熔体湍 流流动的求解引入结晶炉热场的全局模型中, 即将结晶炉内的所有传热方式和所有组 件作为一个整体进行求解。近几年来，少数国外学者开始从事这方面的研究,Prandtl 基金项目：国家自然科学基金项目、陕西省自然科学基础研究计划项目(SJ08E201)，教育部 新世纪优秀人才支持计划（NCET-08-0443 ）。 [1] [5] 混合长度模型 和低雷诺数k −ε模型 等都曾被应用于全局建模中。 为了准确计算坩埚壁面对硅熔体湍流输运的影响，针对不同的近固壁处理方法，本 文将三种k −ε两方程模型，即低雷诺数k −ε模型、包含壁面函数法的标准k −ε模型 和k −ε两层模型，应用于一典型工业用单晶炉热场的全局模拟，模拟了单晶炉内的整 体热场、熔体流动和凝固界面形状。对比应用不同湍流模型时的模拟结果，分析了三种 湍流模型用于大尺寸单晶硅生长过程中模拟高温硅熔体湍流的特点。 1 计算模型 1.1 全局分析模型