脉冲激光沉积制备MgNiO薄膜和其结构性能研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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第十六一全啊化合锄半导体．做波嚣停和光电肆件拳术●议 W,tJF’2010 投稿分类号：MGC i O薄膜及其结构性能研究脉冲激光沉积制备MgN 郭艳敏，朱丽萍‘，杨治国，蒋杰，叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州3100”) 摘要：采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英衬底卜制各了MgNiO薄膜，研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优薄膜的禁带宽度达到5．15eV，町应用rH盲区紫外探测。关键词：脉冲激光沉积(PLD)，MgNiO薄膜，紫外探测器中图分类号：文献标识码：文章编号： andcharacterizationof films laser Preparation MgNiObypulsed depostion GUO zhizhen yanmin，ZHUliping奉，YANGzhiguo，JIANGjie，YE (State KeyLaboratoryofSdwonMatertals,ZhejmngUniversffy,Hangzhou,310027,Chlha) films on substrate laser and Abstract：MgNiOwe∞preparedquartz bypulseddepos‰n幢effectsofdepositiontemperatmeoxygen onthe stnlctul℃and ofthe filmsWOfe the partialprcssme morphology optimizingdepositioncondition, crystal prepared studied．By filmswith were at400Cunderthe of20Pa．硼effect MgNiO highcrystallizationqualitysuccessfollyprepared oxygenpartialpressure achievedtobc5．15eVforthe ofMgconcentrationonMgNiOfilms’bandgapwas bandgapofM90．4Ni0．60 alsoinvestigated．Itwag film,whichwassuitabletobeusedatsolarblindUVdetection． words：Pulsed thin laser films，UVdetector Key deposition(PLD)，MgNiO EEACC： 379 I引言常见的结晶态为立方NaCI结构．品格常数为近年来，人们对紫外探测技术和器件的 a=b=c=0418 8 nm。MgO的禁带宽度为7 需求日益增长，紫外光探