射频磁控溅射SiNX薄膜的制备和其绝缘性能研究.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 射频磁控溅射SiNx薄膜的制备及其绝缘性能研究 贾贞于光龙郭太良翁卫祥李昱 福州大学物理与信息工程学院，福州350002 摘要：场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝 缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(SiN。)是一种具有良好绝缘性能的材料，是 FED用绝缘材料研究的重要侯选材料之一。本文采用射频反应磁控溅射法，选择玻璃和铝片作为衬 底材料，通过改变溅射功率、衬底温度和N2／Ar气体流母比得到了一系列的SiN。薄膜，研究了丁艺 条件对SiNx薄膜沉积速率的影响。并利用扫捕电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电击穿场强测 试系统，分别对薄膜的表面形貌、化学计量比和电绝缘性能等进行了表征。实验结果表明，所制备 的薄膜表面颗粒分界明显；经成分分析薄膜组分均富硅；用于电学性能测试的结构为 MV／cm。 关键词：SiN、薄膜；电绝缘性能；击穿场强 Fabricationand ofSiliconNitrideFilm InsulatingProperties RF Preparedby MagnetronSputtering Jia Yu Zhen，Yu Guanglong，GuoTailiang，WengWeixiang，Li of andInformation 350002，China CollegePhysics Engineering，FuzhouUniversity,Fuzhou Abstact：FieldEmission onekindofflat Display(FED)ispaneldisplaytechnology,which electfical films thecathodeandthe inthree needs toisolate good insulating gate polar structuresIike structure．Asforthe FED．siliconnitrideiSonekindof back-gate back-gate candidatematerialswith electrical someresearchfocus good good insulatingproperties．with about this nitridethinfilmswere on substrateand insulating．Inpaper，silicon depositedglass aluminumsheetswithdifferent radio sputteringpowerby frequency(RF)reactivemagnetron wellasdifferentsubstrate anddifferent flux N2／Ar ratio．Then， sputtering，as temperature gas surface ratioandelectrical of thin