ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究.pdfVIP

第十叠■全■化●簟丰I俸，t蠢l停和充电l件攀拳●谯 ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟研究★ 刘松民，顾书林t，朱顺明，叶建东，刘伟，张荣，郑有蚪 江苏省光电信息功能材科重点实验室， 南京大学物理系，南京210093 擅要本文采用基于计算流体力学(cFD)的数值计算方法，对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内 的流场进行了三维数值模拟和分析．数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散．通过解决流体的能量。动量，质 量和物种守恒方程，本文主要研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO的分布的影响，并研究了不同的衬底位置对生长 速率的影响．计算结果给7_,nO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据． 关键词：ZnO；MOCVD；数值模拟 1引言 MOCVD是制备微电子和光电材料的一项关键工艺，已经成功地生长了多种半导体薄膜材 料。如今已经有相当成熟的商用设备来生长Ⅲ族氮化物半导体材料。但是要设计和优化 MOCVD系统，需要花费科研工作者大量的时间，并且会耗费大量的资金，而用计算机模拟的 方法不仅可以降低设计成本，并且也可以节省科研人员的宝贵时间，从而大大减轻工作量。因 此，近年来有不少工作都是采用数值模拟的方法来优化MOCVD系统的几何形状，运行参数 等等【l棚。但是关于ZnO薄膜材料的模拟研究工作很少，而ZnO作为一种具有纤锌矿结构直接 带隙的宽禁带半导体材料，是发展短波段光电子器件的优选材料，它己成为当今光电材料领域 中的研究热点。但由于ZnO材料生长的不少机理仍然在探索之中，目前还没有非常成熟的用 于ZnO外延的商用MOCVD设备。因此，我们课题组自主开发设计了专门用于ZnO薄膜材料 外延的低压MoCVD系统。 薄膜材料的生长除了受到衬底温度，反应室压力，气体流量等一些操作参数的影响，反应 室的几何形状以及反应腔体内的流场分布对材料的生长也有很大的影响。本文的主要目的就是 采用数值模拟的方法，研究气体的输运性质对ZnO薄膜外延所产生的影响。利用三维模型， 通过对入口角和衬底位置的调整，优化了反应室的结构。 2模型描述 图1 MocvD设备结构示意图 reactor MOCVD Fig．1 Schematic击a娜ofthe ’基金资助项目： t通讯作者：znoI脚幽．∞ ’’ 第十圈-量■化’分静牛俸jt魂■件和先t-件攀术◆俄 图1为本文模拟的ZnOMOCVD水平反应室结构示意图。MO(金属有机物)源DEZn(二 乙基锌)由触气携带，流量为30scorn；氧源为02，流量为30sccm，由心气稀释后通入反 应腔。02管道在DEZn管道下方，其入口与水平方向的夹角分别假定为a和B。此外，左侧通 入主载气舡，流量为120sccm左右。更详细地描述请参考文酬7，羽。为了减小计算量，数值模 拟中只计算了两个管道倾斜处附近到出口的这一部分。 3结果与讨论 (1)气体入口倾角对衬底表面淀积的ZnO分布的影响 ● 15条等值线，等值线边缘的淀积速率为零，中心环处淀积速率最大，最大值分别为80。300，560，和600n,m／k． ContoursofZaO onthesu妇te inthe Fig．2 deposition gas for(曩)a卸，p卸，∞铲300，胪300，(c)庐300。畔50，(d)铲300，凹Oangles ，‘， ●‘ 。● ●～ 图2显示了ZnO在衬底表面淀积速率的等值线分布。可以看出，。不同的入口