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孟 健 等：晶体结构对化合物电学性质的影响 873 晶体结构对化合物电学性质的影响* ∗ 孟 健，车 平，冯 静，王静平，吕敏峰，刘见芬，武志坚，曹学强 （中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室，吉林 长春 130022 ） 摘 要：化合物的导电性包括电子 （空穴）导电及离 金属性导电： ∆ π σ ∆ ∆ ( m = 3 ，4 ；S ≤1 ) c cac cac i 子导电两大部分。新材料的发展已将化合物的电学性 半导体性： ∆ π σ ∆ ∆ ( m = 3 ；1≤S ≤3/2 ) cac c cac i 质提到了急需研究的位置。随着对化合物电学性质研 绝缘体：∆ π σ ∆ ∆ cac cac c 究的不断深入，发现了许多新现象，新性质和新材料， π σ ∆ ：临界重叠积分，∆ ，∆ ：为阳－阴－阳 c cac cac 如氧化物高温超导体，稀土半导体，稀土巨磁阻材料 离子的π型和σ型重叠积分，m 为ABO3 型化合物中B 等。这些都是电子 （空穴）导电的实际应用。而由于 离子价态，Si 为电子的总自旋量子数。 新能源探索需适应保护环境的需要，传统的氧离子和 Mott[2] 根据许多稀土化合物中出现半导体－金 质子导体成了人们的首选研究对象，以开发它们在燃 属的转变，提出化合物中费米能级附近的状态是定域 料电池、氧分离膜，催化等方面的实际应用。由于不 或离域决定了其金属性或半导体性。在高载流子浓度 等价置换，价态变化及氧离子具有大的双电荷与阳离 材料中，V0/ ∆ 临界状态下，电导率会有一个从σmin 子基体的强相互作用及高迁移率，使得大多数的研究 到0 的不连续跳跃： 工作集中于化合物的结构畸变分析及精化，试图发现 2 -1/3 σmin = C(e /h)nc 新的结构相或者新的电学材料。 [3] ZSA 理论 ，则提供了费米能级附近的三个电子 关键词：晶体结构；稀土化合物；电学性