m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能研究.pdfVIP

计矗■全■代●●●牛●俸，鬣霸I—_Jp光·t-件事术●仅 m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能研究 崔军朋，段壶，王晓峰，曾一平 中嗣科学院半导体研冗所新材料邵，北京100083 E·Mailjpc_lli@seIni．∽．∞ 摘要：采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜．采用X射线衍射(XRD)和双晶X射 线摇摆曲线(DXRD)研究了所生长7．-0薄膜的结构特征．利用扫描电子显微镜(SEM)观测了之tlo样品的截面，并测得了其厚 度．同时利用室温光致发光(PL)谱及霍尔(Hall)测试研究了ZnO外延薄膜的光学性质和电学性质． 关键词：m面蓝宝石ZnO外延薄膜微米级 引言： ZnO是一种新型的II～Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，室温下禁带宽度为 3．37eV[11，且激子束缚能高达60meV[2]，具备了室温下短波长发光的有利条件。近年来ZnO 薄膜自形成谐振腔的出现和ZnO光泵浦紫外激光的获得【34】，极大地鼓舞了人们的研究热情， 使得ZnO成为继GaN之后，宽禁带半导体光电材料领域研究的热点之一。 为了获得高质量ZnO单晶薄膜，采用同质外延是最佳选择。但目前获得高质量的ZnO体 单晶还比较困难，另外其生产成本也比较高，这两点直接限制了ZnO体单晶的应用。采用异 质外延的方法制备高质量ZnO单晶薄膜是值得并且正在探索的方向，因为蓝宝石材料价格相 对较低，能得到大面积的单晶，且光透过率很好，可以透过波长高达6¨m的光，因此蓝宝石 成为生长ZnO材料时较常用的衬底之一。大部分ZnO薄膜的生长研究均集中在蓝宝石衬底 的c面【5‘’。，a面[8’9J，及r面[io,11]，而利用m面蓝宝石作为衬底的研究却很少【12】，本文在m面 蓝宝石衬底上生长了微米级的ZnO薄膜，且得到了较好的晶体结构、电学性质和光学性质。 本论文采用自行研制的a，D设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO薄膜， 采用X射线衍射(Ⅺm)和双晶x射线摇摆曲线(D)am)研究了ZnO薄膜的结构特征。利 用扫描电子显微镜(SEM)观测了ZnO样品的截面，并测得了其厚度。同时利用室温光致发 光(PL)谱及霍尔(Hall)测试研究了ZnO外延薄膜的光学性质和电学性质。 实验： 蓝宝石衬底的处理步骤为：分别在无水乙醇、丙酮、无水乙醇溶液中用超声波清洗3分钟； 子水冲洗干净后放入甩干机中甩干，然后直接放入反应室。生长所用的源材料为纯度为99．999 ％的Zn粒和H20蒸汽，载气为N2，生长温度为7400C，在常压下生长，生长时间为1小时。 结果和讨论： 图l为在m面蓝宝石衬底上所生长的ZnO样品的X射线衍射结果图。图中每组分裂的衍 衍射强度很小，说明所生长的ZnO外延薄膜的主要晶面为m面。20=68．220处的衍射峰来源 于蓝宝石衬底的(30．30)晶面的衍射。由图1可以看出，生长的ZnO薄膜虽为多晶结构，但 以(10．10)晶面为主，即在m面蓝宝石衬底上生长出了以m面为主的ZnO多晶结构。 512 第十_-奎一化合-牛—，俸、t壤-件和光电-件拳术◆试 广Idt．AIJ,2006年11月 ll 一．n．毋蚤罂卫ul o叱× ll黧黧一。一∞ 敛∞ 鼹 科 ∞ ∞ 70 2the协 图l乃10样品的x射线衍射图 为了进一步研究外延ZnO薄膜的晶体质量，我们对ZnO样品的(10．10)晶面做了双晶X 射线∞扫描的摇摆曲线，其半高宽为446arcsec(如图2所示)。这说明虽然所生长的ZnO外 延薄膜为多晶结构，但其主要晶面(10．10)的结晶