稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件及应用.pdfVIP

王质武等：稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用 稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用宰 王质武，刘 文，张勇，杨清斗，卫静婷，唐伟群，张浩希 (深圳大学光电子学研究所；广东省光电子器件与系统重点实验室； 光电子器件与系统教育部重点实验室，广东深圳518060) 摘要：介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN：RE)的发光机理及 2稀土的发光机理 其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂)，对各 种方法的优势及其存在的问题进行了点评．综述了近年 目前认为GaN中稀土杂质的激活和随后的去激活 来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光 机理主要有直接激发和间接激发两种机制【11。外界的激 器件在平板显示领域的应用． 发能可以由基质晶体的原子吸收，然后再通过能量传 关键词： 稀土；氮化镓；电致发光；平板显示 输，间接把激发能转移到三价稀土离子，并将它们激发 中图分类号：TN304．3 文献标识码：A 到较高的能级，这些电子回到基态时就会产生光辐射。 文章编号： 1001．973l(2007)增刊．0021．04 当然稀土离子也可以直接被激发后再发生光辐射。由于 三价稀土离子形成的是分立发光中心，这些发光中心一 1 引 言 般说是比较独立的，它们和晶格没有紧密的联系，这种 稀土掺杂氮化物半导体薄膜是一种大有前途的发 材料的发光特性，主要决定于稀土本身的能级结构和被 光材料，随着在显示领域的潜在应用价值逐渐被认识， 激发的情况，与其它中心是否被激发基本上没有关系。 世界各国对掺稀土Ⅲ族氮化物薄膜进行了深入研究并 3稀土掺杂方法 已取得较大进展。稀土掺杂半导体的发光主要源于稀土 f壳层的电子跃迁，发射光谱呈线状，具有色纯度高、荧 稀土掺杂的方法主要有热扩散、离子注入和原位掺 光寿命长等优点。稀土4f壳层受到外层电子(5s弓6p6)杂。 的有效屏蔽，这种局域化特点使得稀土元素f壳层的电 3．1热扩散 子较少受外界环境的影响，因此，光谱形状很少随温度 半导体中的扩散可以看作在晶体中通过空位或填 而变化，温度淬灭小，另外，稀土发光材料发射光谱范 隙原子形式进行的原子移动，掺杂原子将从高浓度区流 围宽，从紫外到红外，在光纤通信、光电器件包括平板 chen和 向低浓度区，有固溶度极限。Ch谗Ch孤g 显示中有着非常诱人的前景【l】。 氮化镓是非常重要的直接宽带隙半导体材料，禁带 研究工作。分析了Er在GaN薄膜中热扩散的机理和扩散 宽度为4．3eV。研究表明，稀土掺杂半导体发光材料的之后薄膜的光学性质，并和离子注入的PL谱进行了对 温度淬灭效应与基质材料的禁带宽度有很大关系，一般 比。研究表明，Er扩散主要采用间隙扩散，离子注入的 认为：禁带宽度越宽，稀土发光的淬灭越弱【2】，因此， 稀土掺杂宽禁带的GaN的温度淬灭小，制作的器件适用 扩散的GaN在1．53岬1处出现相对较弱的红外光致发光。 温度范围大，具有很高的实际应用价值。正因为稀土(砌jcl 掺杂GaN薄膜所具有的独特性质和潜在应用价值，近年 积、推进和激活等方面作进一步的研究。 来，国内外对此予以高度关注，并有大量文献报道。研 3．2离子注入 究主要集中在镧系各种稀土(Pr【31、N．df4】、Sm【5】、Eu【6】、 离子注入工艺在离子注入机内进行，属低温工艺，