铸造多晶硅中的原生杂质.pdfVIP

晶体硅太阳电池及材料．113． 铸造多晶硅中的原生杂质术 唐骏1席珍强2·3邓海2杨德仁2 1宁波晶元太阳能有限公司浙江宁波315800 2浙江大学硅材料国家重点实验窒浙江杭州．310027 3浙江理工大学材料研究中心浙江杭州 310018 ．、 【摘。要】 本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅 中的原生杂质的性质和其及分布规律。研究发现i铸造多晶硅中氧的浓度从底 部到顶部逐渐降低。铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部会逐 渐升高。而铸造多晶硅中铁的浓度分布则是底部和顶部浓度高，中间很低，这 表明晶体底部高浓度的铁主要是由于铁的分凝所致，而底部的铁则主要来自于 晶体凝固过程中坩埚的玷污。 【关键词】‘铸造多晶硅氧碳铁 0引言 作为最主要的太阳电池材料，铸造多晶硅中的氧、铁等主要杂质对于少子寿命的有着很 大的影响【lk氧是铸造多晶硅材料中最主要的杂质元素，如果氧处于间隙位置，通常不显电 学活性踢，。然而一旦形成热施主，新施主和氧沉淀，从而显著降低硅片的少子寿命值【3·41。 在P型硅中，低浓度的铁通常与硼结合成铁-硼对而高浓度的铁则主要形成铁沉淀【5】，它们都 是深能级复合中心。高浓度的碳在铸造多晶硅中可能会形成碳化硅沉淀。研究硅锭中这些杂 质的浓度分布规律对于提高材料利用率显得很重要。。 多晶硅硅锭中间隙氧、碳和铁浓度浓度分布规律。 ． ～ 1实验 ●{， 实验中所选用的铸造多晶硅原生硅锭为宁波晶元太阳能有限公司生产，制得的铸造多晶 硅硅锭总高度为21cm左右。沿硅锭生长方向，分别靠近硅锭边缘和中心位置，截取厚度约 2cm、长度为21cm的硅片A-B、C—C。如图l所示。 ‘●， 留学回国人员基金。 l ·114·中国太阳能光伏进展 响 图1 铸造多晶硅硅锭的样品切取示意图 首先将切割好的硅片用SiC研磨粉进行精细的机械抛光，然后使用腐蚀剂(HN03：、HF： 效果。用去离子水清洗干净并风干后用微波光电衰减仪(g-PCD)对样品进行少子寿命值的 测一个点，从而获得氧浓度沿硅锭生长方向的分布曲线。而间隙铁浓度的测量则通过将样品 于200 前后不同位置处的少子寿命值。根据少子寿命的变化而计算出Fe浓度。具体关系式为：【Fci】 =K·(1凡bcf∽一l九aftH)其中K_--3．4×10”“s／cm’。 2结果与讨论 107 间隙氧的红外吸收蜂位置分别为1 cm～。图2为间隙氧浓度沿硅锭生长方向的分布 氧浓度最高，氧浓度自硅锭底部至硅锭顶部呈逐渐降低的趋势。 替代位碳的红外吸收峰位置分别为605cm～，硅锭中碳浓度的分布如图3所示∥铸造多 1016 晶硅中替代位碳的浓度在3×1016cm-3到6Xcm-3之间；其浓度随着晶体生长的方向而 增加，基本复合其分凝规律。 Distancefromthe bottom(cm) 1F。 ． 图2间隙氧浓度沿硅锭方向分布图 图3替代位碳浓度沿硅锭方向分布图 晶体硅太阳电池及材料．11