基于金硅纳米线阵列肖特基结的自驱动式的可见-近红外光探测器性能研究.pdfVIP

第32卷 第 6期 影 像 科 学 与 光 化 学 Vo1．32 No．6 2014年 l1月 magingScienceandPhotochemistry NOV．，2014 基于金 ／硅纳米线阵列 肖特基结的 自驱动式的 可见一近红外光探测器性能研究 洪清水 。，曹 阳，孙家林。，万平玉，贺军辉。 (1．北京化工大学 理学院，北京 100029 2．中国科学院 理化技术研究所 微纳材料与技术研究中心 功能纳米材料实验室，北京 100190； 3．清华大学 物理系 低维量子物理国家重点实验室，北京 100084) 摘 要：本文成功构筑了金 ／硅纳米线(Au／SiNWs)阵列 自驱动式可见一近红外光探测器。探测 器在暗态时表现出良好的二极管整流特性，在±1V偏压下，整流 比达 584。在可见一近红外光 照下，光探测器具有明显的光生伏特效应 。光探测性能研究表 明：当无外加偏压时，探测器对波 长为 405nm、532nm和 1064nm 的光源具有较高的响应率，并且响应快速、信号稳定，重现性 良好 ；当给器件施加一个很小的正偏压时，通过暗态和照光的切换，探测器可使外 电路 中的电流 快速地正负交替变化，从而实现一种快速、有效的二进制光响应。自驱动式Au／SiNWs阵列光 探测器显示了高灵敏、快速、宽光谱响应特性，具有 巨大的应用前景。 关 键 词：自驱动；可见一近红外光探测；肖特基结；硅纳米线阵列 doi：10．7517／j．issn．1674—0475．2014．06．532 文章编号：1674—0475(2014 可见一近红外宽光谱光探测器在信息、医学、环 通常具有非常高的光响应率 (R)和光导增益 (G)； 境、安全、科研等领域均有广泛的应用，如成像技 然而，肖特基接触光探测器 (SPDs)和异质结光探 术、光通讯、生化分析、环境监测、火险报警、光谱 测器 (HPDs)则具有更好的光响应灵敏度和更快 分析等_1]。近年来，响应快、能耗低 的高性能宽 的光响应速度 。同时，研究表 明，肖特基接触或异 光谱探测器成为光探测器研究的热点。最新研究 质结类光探测器通常具有明显的光生伏特效应， 进展表明，光探测器的性能很大程度上决定于光 利用这种探测器本身的光生伏特效应，光探测 探测器的结构，t：L~H：欧姆接触光探测器 (OPDs) 器可以实现 自驱动光探测而不需要提供额外的电 2o14—03—29收稿 用 国家 自然科学基金 21271177、973重大科 学研究计划 (2010CB934103)、863高技术研究与发展计划 (2Ol1AAO5O525)和清华大学低维量子物理国家重点实验室开放基金(KF2O12O7)资助 *通讯作者，E-mail：jhhe@mail．ipc．ac．cn 532 第6期 洪清水等：基于金／硅纳米线阵列肖特基结的自驱动式的可见 近红外光探测器性能研究 533 源… 。 一 维纳米结构材料具有很大的比表面积，基 1 实验部分 于这种结构的光探测器 比起二维薄膜材料或三维 体材料通常具有更高的光响应率和光导增益，因 1．1 实验材料和仪器 此，一维纳米结构材料是构筑高性能光探测器的 主要耗材和试剂：n型单晶硅片(Si，晶面 111， 理想材料_1。在众多一维纳米结构纳米材料 中， 电阻率 0．01Q ·cm)；高纯金箔 (Au，99．999 )； 硅纳米线(SiNWs)因其带隙较窄 (1．12eV)利于 铟块(In)；镓块(Ga)；铜芯导线若干；硝酸银 (Ag— 实现 宽波段 光 响应 而广 泛