直拉硅单晶的辐射效应和加固方法.pdfVIP

直拉硅单晶的辐射效应和加固方法 刘锋张忆．延纪秀峰裴志军佟利英 信，醴产业部电子第16研究所 天津412信箱 300220 摘要：t本文概述r直挣硅单晶在陕中于、Y射线、电于辐照下的辐照效应(主要是载 流J二去除效r,E和少于寿命的降’【t)．对Y辑t搬实验做了重点研究，发现在总剂量105～ 1()6 rad(Si)r，直拉计单{^电阻率变化不大．寿命明显降低，采用大剂量掺锗及Y预辐照 并退火的方法，可提高硅中晶的少J二寿命4f：q女之更稳定。 一、直拉硅单d6的辐照效应： ． 仃梭辐射和空问辐射环境l、．、}J导体器什的性能会发生严重退化甚至失效，但不同器 件的辐射设应是小同的，如双极犁器件和电路一般在中子通量为1∥～lo“n／cm2下发生退化 发生失效，空间太阳电池对电』’辐制史敏感，在】o“e／cm：下，其最大输出功率显著下降， 日前我斟器件的加固研究也基7￡存此范围。 做为半导体器件}是材料的硅单品受到快中f、Y射线或电子辐照厉，都会产生空位 和填隙．辐照缺陷tjl入了新的，拒级．能超载流f复合中心、俘获中一心作用，使载流子浓度 降低，电阻率改变(叉称载流子的去除效应)，使少数载流子寿命下降，这些基本参数的 改变会导致半导体器件的退化和失效、但它们又有重要的不同，快中子主要造成硅单晶的 晶格位移，产牛空位和恻隙原f，造成复杂的缺陷群。Y射线和电子主要造成硅单晶的电 离效应．产生唾．了空八对，形成点缺陷，田此，在上述剂量的不同射线辐照下，硅单晶电 7芦参数的变化也／}==相同， 对于快中J+辐照，从我们在中物院核物理发化学研究所的CFBR～11型快中子脉冲堆进 行的中于通量为10“～10”tl／(：ut2的两次辐照实验[1一瞳3可以看出，N型硅单晶的电阻率明显 升高．高5且可升高数倍，说明中子辐照对硅单晶的载流子去除效应明显，使载流予浓度降 低，同州中予辐照电使少数载流子寿命大大降低。 对于电f辐照，幽外开展了许多研究，如图l、图2所示oj．在IMev电子辐照下，在累 积通量3×1016w49in：以下，载流子浓度变化不大，载流子去除效应不明显，而少子寿命己显 著下降，随着辐照剂量的加大，拔流子浓度下降幅度加大．少子寿命也迸一步降低。硅单 一 晶少于哿命的降低iJ使宅问l：阳电池的输出功率下降，当辐照剂量达10”e／era2左右时，载 流子浓受的降低和少子寿命的下降起，加剧了空问太阳电池晟大输出功率的下降。L4』 1lO— L一 1—∑／ ∽ q pj ．{＼＼i ／7} ms“vE5～＼ ／ {I ；F# ≤ ≮一 ∥ f| ，j 、＼! ／ ．， 、 ‘ |{ c／ ～5～= P瞌cM。 盯MBARDMENT,“B州ELEmONs