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碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究.pdf
Vol. 28 No.2
第28卷第2期
深圳大学学报理工版
2011 年3 月 JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY SCIENCE AND ENGINEERING Mar. 2011
文章编号: 1000-2618(2011 )02-0109-04
【光电工程】
碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究
武红磊1,郑瑞生1,孟妹1,黄俊毅2
( 1. 深圳大学光电工程学院, 深圳518060; 2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州510631)
摘要:采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测
碳硅共掺氮化铝的 p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的 C - Si
n
络合物价= 1 ,2, 3 ,4 )可以稳定存在,特别是在 C - Si 络合物中碳受主电 离 能仅有0.1geV, 比羊个碳受
2
主低0. 28 eVe 利用碳硅共掺方法, 在实验上制备出 空穴浓度为1.4 X 1014 cm-3 cm2j(V • s)
、 迁移率为52
的 p型氮化铝晶体.
关键词:半导体材料;掺杂;第一性原理计算;氮化铝;受主能级;电阻率
中图分类号: °471.5; °474 文献标识码:A
氮化铝是宽禁带半导体材料的典型代表之一, 率,以及合适的掺杂比例.根据理论计算预测,在
拥有 6. 2 eV 的直接带隙禁带宽度, 是制作深紫外 型氮化铝晶体.
p
实验上制备出碳硅共掺的
固态光源(如发光二极管和激光二极管)的理想材
料[ 1 ],可用于医疗、化工等相关领域.如在医疗上
1
理论计算与 实验
可用于空气消毒、水净化、物体表面消毒、化妆与
1.1
医疗用皮肤紫外照射等.因此,发展适用于器件的
理论计算
高质量n型和 p型氮化铝晶体材料日益受到关注.
本研究理论基于密度泛函理论的第一性原理,
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