SnO2薄膜的红外光谱与表面光电压谱的研究.pdfVIP

维普资讯 第 l0卷 第 1I期 半 导 体 学 报 Vo1．10．No．1l l如9年 ¨月 CHIHES]~ JOURNAL 0F SEMICONDUCTOR~ Nov．． 1989 SnO 薄膜的红外光谱和表面 光 电压谱的研究 戴国瑞 姜月顺 王雅静 董玺娟 历大新 李铁津 (吉 林 大 学，长 春) l9Ba年 9月 2j 日收到 本文采用 PECVD 方法制备了 SnOt薄膜，对薄膜进行 了红外光谱和表面光电压谱涮置 发现，薄膜表面化学吸附 o：和 O一离子基团，成为反应活性中心、电子转移的娇粱，推测了 so，表面与乙醇气体敏瞎反应历程．sn0 薄膜淀积在 n—si上 ，使其表面光电压信号增强 =个数量级l三I上 ，我们认为是 SaO ／n-$i异质结作用和消反射作用的结果． 主题词：sn 薄膜，红外光谱 ，敏感机理，表面光 电压谱 一 、 引 言 近年来，随着高技未和信息科学的发展，各种传感器的研究已引起了各国的普遍重 视 ．氧化物半导体 SnO 广泛地应用在微电子学和光电子学器件的研究上 ，如液晶手表、 发光二极管、仪表显示和太 阳能 电池等 “．当今，引起人们极大兴趣的是 SnO 材料对某 些气体具有敏感功能特性，已成为研制气体传感器的基础材料． 旱在 1962年 田IZl应用 sn 材科检测可燃气体 ，以后出现了商品化的气体传感器．但是，直到 目前为止，这些 实用化的传感器几乎都是烧结型，元件的重复性和互换性仍有待改进，生产工艺落后 ．为 此，能够使用生产集成电路的平面工艺技术，研制薄膜型、多功能、集成化气体传感器成为 当务之急 ． 关于 sn 材料及气敏元件的研究，人们做了大量的工作 ，敏感机理相当复杂，众 说纷-X-t~，主要有表面 电导、晶界势垒和气体吸附电子转移等模型．许多学者跟用红外光 谱研究不同气体与 SnO 间的气一固相反应，了解其催化反应机制 ．本工作利用等离子 体增强化学气相淀积 (PECVD)方法制备 sn 薄膜材料，借助于红外光谱和表面光 电 压谱研究 sn 薄膜 的气体吸附和光电特性 ，探索其薄膜对乙醇气体的敏感机理 ，以利 于发展薄膜型 sn 气体传感器和其它固体薄膜光电转换器件． ， 二、 实 验 1．$nO 薄鹱 的{瞄鲁 一 一 采月,PgGVD技术 ，常规半导体王艺清洗硅或陶瓷片怍衬隶烘千，放人反应室，抽 维普资讯 日72 半 导 体 学 报 真空，加热至 170—200~(2，通^无水 SnCh和 O 在高频 电场的作用下，SnO,薄膜淀 积在硅或其它材料 的衬底上，其反应为 SAC1,+ 02塑 S13o+2clt l70℃ 薄膜生长的典型工艺条件 ：衬底温度为 17O℃，氧气压强为 3×10 托 ，SnC1·源温度为 一 17℃，等离子体高频 电源的频率为 13．5MHz，功率为 250瓦． 2．红外吸收光谱测量 sn 薄膜淀积在 KBr片上，样品置人红外池中(红外池的窗 口为 NaC1晶片)，通 过磨 口将红外池与真空系统相连，真空度可达 lO 托．本工作主要是在空气、真空和台 乙醇气体中，温度变化范围为 15—350℃，使用 N1COLET一5DX 型傅里叶红外光谱仪进 行测量 ． 3．表面光电压谱测量 表面光电压谱测试采用