ZrO_2在Si_100_2_1表面原子层淀积反应机理密度泛函理论研究.pdfVIP

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2017-08-08 发布于安徽
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ZrO_2在Si_100_2_1表面原子层淀积反应机理密度泛函理论研究.pdf

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2006 年第 64 卷化学学报 Vol. 64, 2006 第 11 期, 1133～1139 ACTA CHIMICA SINICA No. 11, 1133～1139 ·研究论文· ZrO 在 Si(100)-2 ×1 表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究 2 任杰a,b 陈玮a 卢红亮a 徐敏a 张卫*,a (a 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海 200433) (b 河北科技大学理学院石家庄 050018) 摘要用密度泛函方法研究了ZrO2 在羟基预处理的 Si(100)-2 ×1 表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理, ZrO2 的ALD 过程包括两个前体反应物 ZrCl 和 H O 交替的半反应. 两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径. 比 4 2 较单羟基 Si 表面反应的反应焓变, 可以发现双羟基 Si 表面反应, 由于相邻羟基的存在, 对 ZrCl4 的半反应影响较大, 尤其是化学吸附能增加明显. 而对于 H2O 的半反应, 单、双羟基 Si 表面反应的能量变化不是很明显. 使用内禀反应坐标 (IRC)方法, 验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理. 另外, 发现随着温度的升高, 吸附络合物的稳定性降低, 其向反应物方向的解吸附变得容易, 而向产物方向的解离难度增加. 关键词原子层淀积; 密度泛函理论; 高介电常数栅介质; 氧化锆 Density Functional Theory Study on Surface Reaction Mechanism of Atomic Layer Deposition of ZrO2 on Si(100)-2 ×1 REN, Jiea,b CHEN, Weia LU, Hong-Lianga XU, Mina ZHANG, Wei*,a a ( State Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuits and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433) (b College of Science, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang 050018) Abstract Density functional theory was employed to investigate atomic layer deposition (ALD) mecha- nism of zirconia on Si(100)-2 ×1 surface with sing