基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征.pdfVIP

( G 辑) 第33 卷 第2 期 SCIENCE IN CHINA ( Series G ) 2003 年4 月 基于离子注入技术的GaMnN 室温铁磁 半导体制备及其表征 王基庆 ** 陈平平 李志锋 郭旭光 H.Makino T.Yao 陈 弘 黄 绮 周均铭 陆 卫 ( 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海200083; Institute for Materials Research , Tohoku University, Sendai, Japan; 中国科学院物理研究所, 北京 100080) 摘要 通过离子注入技术制备出GaMnN 三元磁性半导体材料. Raman 光谱, X 射线 衍射和光致发光谱(PL)揭示了 Mn 在材料中的晶体结构与电子结构. 这些基本表征结 果表明注入的Mn 占据了晶格位置, 且多数形成了GaMnN 三元相. 超导量子干涉仪的 测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性. 磁化强度随温度的变化曲线表明材料 中存在着不同的铁磁机制. 关键词 半磁半导体 居里温度 超导量子干涉仪 近年来, 对基于 - 化合物半磁半导体(DMS) 中电子或空穴自旋的控制( 自旋电子产生, 传输以及探测) 引起了人们广泛的兴趣, 形成一支新的学科分支: 自旋电子学(Spintronics)[1,2]. 这一新的学科分支使人们有可能利用电子自旋这一特性来操纵电子的许多光电行为, 从物理 根源上与目前在电子电荷特性上操纵电子的光电特性形成互补. 由于自旋特征量的易保持性, 人们可以期望利用电子自旋特征来优化当前的许多光电子与微电子器件. 目前大量的工作主 要集中在定向自旋电子源的产生上. 如 Ohno 等人使用 GaMnAs 稀释半导体作为自旋发射源, [3] 产生有一定自旋取向的空穴进入 InGaAs/GaAs 量子阱中, 并和电子复合, 产生偏振光 . 同样 [4] Fiederling 等人在 BeZnSe 体系中也通过掺入 Mn 观察到了自旋电子源的有效形成 . 然而 GaMnAs 和ZnMnSe 材料的居里温度(T )相对比较低, 分别为~110 和50 K[5] . 从实际应用的角 C 度出发, 人们希望找到更高居里温度的半磁半导体材料. 最近的理论计算表明基于宽禁带的 [5] 半磁半导体, 如 GaMnN, ZnMnO 等, 可能具有高于室温的居里温度 . 然而由于对室温铁磁 性的起源物理机制尚不清楚, 不同的研究者的研究结果相差甚远. Overberg 等人使用分子束 外延生长了含7% Mn 的GaMnN 磁性半导体, 磁输运结果表明该材料的居里温度可能在10 ~ [6]