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电子显微分析部分1、根据正、倒空间的定义，分别给出正、倒空间中(hkl)与[hkl]*，[uvw]与(uvw)*之间方向和大小的关系。2、什么是倒易点阵？其与正点阵之间的关系如何? 具有那些基本性质？ 画出fcc和bcc晶体对应的倒易点阵，并标出基本矢量a*, b*, c*。 （3）基本性质 a．倒易矢量垂直于正点阵中相应的（hkl）晶面，或平行于它的法向。 b. 倒易阵点的一个点代表的是正点阵中的一组晶面。 （4） 4、设[uvw]是(hkl)的法线，用正、倒空间的变换矩阵写出它们之间的指数互换关系。[uvw]＝〔G〕[u＊v＊w＊] 其中， 5、给出简单立方、面心立方、体心立方以及密排六方晶体结构电子衍射发生消光的晶面指数规律。 简单立方????? 对指数没有限制（不会产生结构消光） f. c. c???????? h. k. L. 奇偶混合 b. c. c???????? h+k+L=奇数 h. c. p???????? h+2k=3n, 同时L=奇数 6、假定需要衍射分析的区域属于未知相，但根据样品的条件可以分析其为可能的几种结构之一，试根据你的理解给出衍射图标定的一般步骤。1）测定低指数斑点的R值。应在几个不同的方位摄取衍射花样，保证能测出最前面的8个R值。 （2）根据R，计算出各个对应得到d值。 （3）查JCPDS（ASTM）卡片和各d值都相符的物相即为待测的晶体。如果电子衍射的精度有限，有可能出现几张卡片上d值均和测定的d值相近，此时，应根据待测晶体的其它信息，例如化学成分等来排除不可能出现的物相。 （4）因为晶体结构是已知的，某一d值即为该晶体某一晶面族的晶面间距，故可根据d值定出相应的晶面族指数{hkl}，即由d1查出{h1k1l1}，由d2查出{h2k2l2}，依次类推。 （5）测定各衍射斑点之间的夹角。 （6）决定离开中心斑点最近衍射斑点的指数。 （7）决定第二个斑点的指数。 （8）决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得 （9）根据晶带定律求零层倒易截面的法线方向，即晶带轴的指数 7、试述用合成电子衍射图法如何确定两相间的取向关系？: （1）从合成的电子衍射图中分离出两套衍射斑点，分别标定两套衍射斑点指数，并确定晶带轴指数〔uvw〕A和[u/v/w/]B (2)找出互相平行的两相的矢量RA和RB，指数分别为(hkl)A和（h/k/l/）B。 （3）可以确定两相的取向关系为（hkl）A//(h/k/l/)B ?????????????????????????????? [uvw]A//[u/v/w/]B 8、已知Cu3Au为面心立方结构，可以以有序和无序两种结构存在，请画出其有序和无序结构[111]晶带的电子衍射花样，并标定出其指数。 9、衍射斑点出现拉长或辉纹，或卫星斑点时，反映出样品的那些结构信息？为什么？10、请说明层错的一般衬度特征。 1）平行于薄膜表面的层错衬度特征为，在衍衬像中有层错区域和无层错区域将出现不同的亮度，层错区域将显示为均匀的亮区或暗区。 2）倾斜于薄膜表面的层错，其衬度特征为层错区域出现平行的条纹衬度。 3）层错的明场像，外侧条纹衬度相对于中心对称，当时，明场像外侧条纹为亮衬度，当时，外侧条纹是暗的；而暗场像外侧条纹相对于中心不对称，外侧条纹一亮一暗。 4）下表面处层错条纹的衬度明暗场像互补，而上表面处的条纹衬度明暗场不反转。 11、产生电子衍射的必要条件与充分条件是什么？Fhkl≠0， 产生电子衍射必要条件是满足或基本满足布拉格方程。 12、完整晶体和不完整晶体运动学理论衍射振幅的表达式为: （完整晶体） （不完整晶体） 对于给定的缺陷，R(x,y,z)是确定的，g是用于成像的操作反射。请分析：（1）缺陷不可见时的判据；（2）各类型位错衬度消失的一个实际可行的有效判据；（3）如何用不可见判据来确定位错的布氏矢量，分析其原因，并简要给出测定位错布氏矢量的方法步骤。 提示：各种位错引起的畸变位移矢量： ① 刃型位错： ； ② 螺位错： ； ③ 混合位错： 当N值是分数时，缺陷的存在将引起衍射强度的变化，此时，缺陷显示衬度（可见） 特别地，当N=0时，即，晶体缺陷的位移矢量位于操作反射对应的晶面内，即使有点阵位移，对衍射强度也没有贡献，此时缺陷不可见。 结论： （2） （3）测定步骤： 选择测定区域，在多数位错显示衬度的情况下拍照，以便整体了解位错的组态与分布； 拍摄这一取向下的电子衍射图，可略微倾转样品，使该晶带中的衍射斑点都出现，并正确标定； 倾转样品，使位错或一部分位错的衬度消失，这时，要随时观察相应的衍射条件，如果是双束条件，拍照衍射花样和相应的衍射衬度像； 倾转样品至另一新取向，再适当倾转样品，寻找另一个使位