长时程增强效应与突触可塑性.pdfVIP

——专家就在您身边! 长时程增强效应与突触可塑性 海马三突触回路中的LTP 成为 80 年代神经生理学的热门研究课题，似乎找到了海马记 忆功能的细胞生理学证据。特别是经典条件反射性LTP 现象或习得性LTP 现象的研究，更 表明它与学习记忆过程的密切关系。以离体脑片的LTP 为模型，在80 年代深入研究其分子 神经生物学机制，又发现LTP 形成的生物化学基础：条件刺激引起突触前末梢释放谷氨酸， 在突触后膜上谷氨酸与NMDA 受体结合，使钙离子通道门开放，钙离子流入突触后细胞膜 内。非条件刺激引起突触后膜的去极化，并清除钙离子通道口上的镁离子，使钙离子通道畅 通无阻。所以，条件刺激与非条件刺激的结合，能最有效地使大量钙离子流入细胞内，发挥 第二信使的作用。这种发现支持了LTP ，及其生化机制不仅可作为学习过程，而且可以作为 记忆过程的神经生物学基础。然而，对 LTP 现象广泛地比较研究，却发现许多不支持其作 为学习记忆唯一基础的科学事实。 首先，LTP 并不是海马三突触回路所特有的细胞生理现象，在海马以外的许多神经标本， 甚至非神经的可兴奋组织标本（心肌细胞），于特定条件下均可引出LTP 现象。 其次，在小脑等结构中，还发现与 LTP 相反的生理效应，即长时程抑制效应(LTD) 。恰 恰是在小脑结构中发现其为快速运动性经典条件-反射形成的基础。因此，如果把LTP 看成 是学习记忆的基础，那么，LTD 也应同等对待。 第三，除了LTP 和LTD 以外，又发现了另外两种突触生理现象。在称之为输入输出转换 效应(ITTO)基础上，形成的长时程增强或抑制，即ITTO-LTP 或ITTO-LTD 。LTP 或LTD 主 要影响突触后电位的变化，造成长时程增强的兴奋性突触后电位(EP-SP)或抑制性突触后电 位(IPSP)总和效应，出现明显的场电位，从而改变着突触的兴奋承平。与场电位幅值的长时 程增强效应不同，ITTO-LTP 或ITTO-LTD 则影响着突触后神经元的兴奋后电位（后兴奋电 位和后超级化电位）。因此，ITTO 的长时程效应改变着 细胞单位发放频率。 从上述3 个方面，我们可以明确地说，LTP 并不是海马记忆机制的特异性细胞生理学基 础。LTP 仅仅是突触可塑性的一种细胞生理学表现形式。LTD ，ITTO-LTP ，ITTO-LTD 联想 性LTP 或LTD 也是突触可塑性的细胞生理学表现形式。 因此，突触可塑性的变化才是记忆的细胞生理学基础。突触可塑性变化可以发生在各种 松果咨询-心理咨询指导中心 ——专家就在您身边! 神经元之间，并不限于海马三突触回路。所以，三突触回路中的 LTP 并不是记忆的唯一基 础。当然，这并不能否定三突触回路的LTP 可以作为研究记忆生理基础的一种特殊模型。 松果咨询-心理咨询指导中心